| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| §1-1 GaN材料的性质及应用 | 第10-14页 |
| 1-1-1 GaN的相态与结构 | 第10-12页 |
| 1-1-2 GaN的化学性质 | 第12页 |
| 1-1-3 GaN的电学性质 | 第12页 |
| 1-1-4 GaN的光学性质 | 第12页 |
| 1-1-5 GaN材料的应用前景 | 第12-14页 |
| §1-2 外延GaN薄膜的生长技术及衬底材料 | 第14-16页 |
| 1-2-1 金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术 | 第14页 |
| 1-2-2 分子束外延(MBE)技术 | 第14-15页 |
| 1-2-3 卤化物气相外延(HVPE)技术 | 第15页 |
| 1-2-4 衬底材料 | 第15-16页 |
| §1-3 HVPE生长GaN的研究进展 | 第16-18页 |
| §1-4 本文主要研究内容 | 第18-19页 |
| 第二章 流体力学基本知识和计算流体力学相关理论 | 第19-26页 |
| §2-1 流体力学基本知识 | 第19-22页 |
| 2-1-1 流体基本物理性质 | 第19-20页 |
| 2-1-2 描述流体运动的方法 | 第20页 |
| 2-1-3 流体力学中的几种基本方程 | 第20-22页 |
| §2-2 计算流体力学相关理论 | 第22-26页 |
| 2-2-1 计算流体力学概念 | 第22-24页 |
| 2-2-2 常用的数值方法介绍 | 第24-25页 |
| 2-2-3 模拟的主要步骤 | 第25-26页 |
| 第三章 HVPE系统反应室的二维模拟计算 | 第26-37页 |
| §3-1 HVPE系统二维模型的建立 | 第26-29页 |
| §3-2 边界条件 | 第29-30页 |
| §3-3 衬底高度的改变对气流浓度场的影响 | 第30-33页 |
| 3-3-1 计算模型 | 第30页 |
| 3-3-2 结果与分析 | 第30-33页 |
| §3-4 主载气N_2的流量对气流浓度场的影响 | 第33-36页 |
| 3-4-1 计算模型 | 第33页 |
| 3-4-2 结果与分析 | 第33-36页 |
| §3-5 小结 | 第36-37页 |
| 第四章 HVPE系统反应室的三维模拟计算 | 第37-56页 |
| §4-1 HVPE系统三维模型的建立 | 第37-38页 |
| §4-2 边界条件 | 第38页 |
| §4-3 衬底高度的改变对气流浓度场的影响 | 第38-44页 |
| 4-3-1 计算模型 | 第38页 |
| 4-3-2 结果与分析 | 第38-44页 |
| §4-4 主载气N_2的流量对气流浓度场的影响 | 第44-49页 |
| 4-4-1 计算模型 | 第44页 |
| 4-4-2 结果与分析 | 第44-49页 |
| §4-5 衬底转速的改变对气流浓度场的影响 | 第49-55页 |
| 4-5-1 计算模型 | 第49-50页 |
| 4-5-2 结果与分析 | 第50-55页 |
| §4-6 小结 | 第55-56页 |
| 第五章 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第62页 |