| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-21页 |
| ·透明氧化物半导体的研究背景 | 第11-13页 |
| ·p型铜铁矿结构透明氧化物半导体的研究进展 | 第13-16页 |
| ·p型铜铁矿结构透明氧化物半导体薄膜的制备方法 | 第16-18页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第16-17页 |
| ·溅射沉积 | 第17页 |
| ·化学气相沉积 | 第17-18页 |
| ·本论文研究思路和内容 | 第18-21页 |
| 第2章 薄膜样品的制备及表征方法 | 第21-27页 |
| ·薄膜的制备工艺 | 第21-23页 |
| ·本文所用磁控溅射设备介绍 | 第21页 |
| ·磁控溅射基本原理 | 第21-23页 |
| ·薄膜的结构表征和物理性能测量 | 第23-24页 |
| ·薄膜的厚度测量 | 第23页 |
| ·薄膜的结构表征 | 第23页 |
| ·薄膜的表面形貌分析 | 第23页 |
| ·薄膜的成分与元素价态分析 | 第23-24页 |
| ·薄膜的光学性能测量 | 第24页 |
| ·薄膜的电学性能测量 | 第24页 |
| ·本章小结 | 第24-27页 |
| 第3章 CuAlO_2的掺杂改性研究 | 第27-47页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·CuAlO_2 掺杂Cu~(2+)薄膜的性能研究 | 第27-37页 |
| ·样品制备 | 第27-29页 |
| ·实验结果与讨论 | 第29-37页 |
| ·结论 | 第37页 |
| ·CuAlO_2 掺杂Fe~(3+)的性能研究 | 第37-45页 |
| ·样品制备 | 第37页 |
| ·实验结果与讨论 | 第37-44页 |
| ·结论 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第4章 CuCrO_2薄膜的制备与性能研究 | 第47-71页 |
| ·引言 | 第47页 |
| ·样品制备 | 第47-49页 |
| ·CuCrO_2 薄膜的结构与成分分析 | 第49-51页 |
| ·退火处理对CuCrO_2 薄膜性能的影响 | 第51-58页 |
| ·退火对CuCrO_2 薄膜结构的影响 | 第51-52页 |
| ·退火对CuCrO_2 薄膜光电性能的影响 | 第52-56页 |
| ·退火对CuCrO_2 薄膜表面形貌的影响 | 第56-58页 |
| ·原位沉积温度对CuCrO_2 薄膜性能的影响 | 第58-62页 |
| ·N 掺杂对CuCrO_2 薄膜性能的影响 | 第62-69页 |
| ·引言 | 第62页 |
| ·样品制备 | 第62-63页 |
| ·实验结果与讨论 | 第63-69页 |
| ·本章小结 | 第69-71页 |
| 第5章 CuNd02与AgAlO_2的制备与性能研究 | 第71-79页 |
| ·引言 | 第71页 |
| ·CuNdO_2 与AgAlO_2 的制备与性能研究 | 第71-76页 |
| ·CuNdO_2 与AgAlO_2 的制备方法 | 第71-72页 |
| ·CuNdO_2 与AgAlO_2 的结构与性能表征 | 第72-76页 |
| ·本章小结 | 第76-79页 |
| 结论 | 第79-81页 |
| 参考文献 | 第81-89页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第89-90页 |
| 致谢 | 第90页 |
