| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-15页 |
| ·SiCGe薄膜概述 | 第8-13页 |
| ·SiCGe三元合金薄膜的生长方法 | 第8-9页 |
| ·Si上SiCGe外延薄膜 | 第9-11页 |
| ·SiC上SiCGe外延薄膜 | 第11-13页 |
| ·3C-SiC薄膜概述 | 第13页 |
| ·本论文的研究目的和内容 | 第13-15页 |
| 2 设备、工艺及生长机理分析 | 第15-28页 |
| ·热壁CVD生长设备 | 第15-19页 |
| ·供气系统 | 第15-16页 |
| ·反应室及加热装置 | 第16-18页 |
| ·真空机组及真空检测系统 | 第18页 |
| ·水循环系统 | 第18-19页 |
| ·温度控制系统 | 第19页 |
| ·尾气处理系统 | 第19页 |
| ·SiC衬底上3C-SiC及SiCGe薄膜的生长工艺 | 第19-22页 |
| ·薄膜的生长的物理过程研究 | 第22-28页 |
| ·薄膜表面形核与生长 | 第22-23页 |
| ·异质外延薄膜生长三种模式 | 第23-25页 |
| ·SiCGe薄膜生长的基本物化过程 | 第25-28页 |
| 3 3C-SiC薄膜生长与工艺条件优化 | 第28-39页 |
| ·缓冲层对SiCGe质量的影响 | 第28-30页 |
| ·3C-SiC缓冲层概述 | 第28-30页 |
| ·3C-SiC缓冲层对SiCGe薄膜质量的影响 | 第30页 |
| ·3C-SiC薄膜质量与生长温度的关系 | 第30-31页 |
| ·3C-SiC薄膜质量与源气体流量的关系 | 第31-32页 |
| ·优化工艺条件后的3C-SiC薄膜 | 第32-38页 |
| ·3C-SiC薄膜的表面形貌分析 | 第32-34页 |
| ·3C-SiC薄膜的剖面形貌和晶体结构分析 | 第34-37页 |
| ·3C-SiC薄膜的XPS分析 | 第37-38页 |
| ·小结 | 第38-39页 |
| 4 SiCGe薄膜生长及分析 | 第39-48页 |
| ·生长温度对SiCGe薄膜的影响 | 第39-41页 |
| ·不同温度下样品的SEM测试 | 第39-40页 |
| ·不同温度下样品的TEM测试 | 第40-41页 |
| ·源气体流量对SiCGe薄膜的影响 | 第41-42页 |
| ·优化工艺后的SiCGe薄膜 | 第42-44页 |
| ·SiCGe的表面形貌 | 第42-43页 |
| ·SiCGe的组份分析 | 第43-44页 |
| ·SiCGe的光吸收特性和光能隙 | 第44-47页 |
| ·薄膜光能隙测试原理简介 | 第44-46页 |
| ·薄膜光能隙测试结果 | 第46-47页 |
| ·小结 | 第47-48页 |
| 5 结论 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 在校学习期间科研业绩 | 第53页 |