| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 引言 | 第6-9页 |
| ·研究工作的技术背景 | 第6-7页 |
| ·65NM CMOS工艺的新特点 | 第7-9页 |
| 第二章 65NM关键工艺简介以及低温选择性锗硅工艺在65NM高性能工艺中的重要性 | 第9-14页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·65NM 高性能CMOS制造工艺流程简介 | 第9-11页 |
| ·锗硅工艺简介以及对于65NM高性能工艺技术的重要性 | 第11-14页 |
| ·低温选择性锗硅工艺简介 | 第11-12页 |
| ·选择性锗硅工艺技术的重要性 | 第12-14页 |
| 第三章 低温选择性锗硅工艺技术所用实验设备以及量测设备介绍 | 第14-20页 |
| ·300毫米低温锗硅外延(SIGE LOW TEMPERATURE EPITAXY)设备 | 第14-17页 |
| ·二次离子质谱分析仪(S I M S) | 第17-18页 |
| ·DEFECT MEASURE TOOLS(KLA-TENCOR SP2) | 第18-20页 |
| 第四章 低温选择性锗硅外延工艺研究 | 第20-52页 |
| ·引言 | 第20-21页 |
| ·选择性锗硅外延生长工艺中表面处理技术的研究 | 第21-29页 |
| ·选择性锗硅外延生长工艺表面处理技术的重要性 | 第21-23页 |
| ·锗硅工艺表面处理技术改进研究 | 第23-29页 |
| ·实验结果总结 | 第29页 |
| ·选择性锗硅(SIGE)外延生长机理和工艺条件研究 | 第29-44页 |
| ·选择性锗硅工艺技术选择性的研究 | 第29-38页 |
| ·不同衬底材料对于锗硅生长选择性的研究 | 第29-31页 |
| ·温度和反应压力对于选择性的影响 | 第31-33页 |
| ·HCL对于锗硅生长选择性的影响 | 第33-36页 |
| ·实验结果讨论 | 第36-38页 |
| ·锗硅工艺中锗浓度的研究 | 第38-42页 |
| ·Ge%与应力的关系 | 第38-39页 |
| ·反应气体GeH4和HCL对Ge%的影响 | 第39-40页 |
| ·温度对Ge%的影响 | 第40-42页 |
| ·实验结果讨论 | 第42页 |
| ·温度对于选择性SiGe外延生长的影响 | 第42-44页 |
| ·温度对于SiGe生长速率的影响 | 第43页 |
| ·实验结果讨论 | 第43-44页 |
| ·低温选择性锗硅外延生长的CMOS器件的制备 | 第44-51页 |
| ·选择性锗硅外延生长的CMOS新器件结构研究 | 第44-49页 |
| ·选择性锗硅工艺流程的研究 | 第49-51页 |
| ·小结 | 第51-52页 |
| 结语 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-55页 |
| 后记 | 第55-56页 |
| 心得 | 第55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
