| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| §1-1 引言 | 第10-11页 |
| §1-2 GaN 材料的基本性质 | 第11-15页 |
| 1-2-1 GaN 材料的结构和物理性质 | 第12-14页 |
| 1-2-2 GaN 材料的化学性质 | 第14页 |
| 1-2-3 GaN 材料的电学性质 | 第14页 |
| 1-2-4 GaN 材料的光学性质 | 第14-15页 |
| §1-3 GaN 材料的制备技术 | 第15-17页 |
| 1-3-1 卤化物气相外延（HVPE）技术 | 第15-16页 |
| 1-3-2 分子束外延技术（MBE） | 第16页 |
| 1-3-3 金属有机物化学气相沉积（MOCVD）技术 | 第16-17页 |
| §1-4 GaN 薄膜的成核及生长 | 第17-20页 |
| 1-4-1 薄膜形核 | 第17-19页 |
| 1-4-2 成核速率 | 第19-20页 |
| 1-4-3 GaN 薄膜的生长模式 | 第20页 |
| §1-5 制备GaN 材料的衬底 | 第20-22页 |
| 1-5-1 蓝宝石衬底 | 第20-21页 |
| 1-5-2 SiC 衬底 | 第21页 |
| 1-5-3 Si 衬底 | 第21-22页 |
| 1-5-4 GaAs 衬底 | 第22页 |
| 1-5-5 其它衬底 | 第22页 |
| §1-6 GaN 材料制备工艺的发展 | 第22-23页 |
| 1-6-1 两步生长工艺 | 第22页 |
| 1-6-2 横向外延技术 | 第22-23页 |
| §1-7 GaN 基材料及器件的研究现状和发展趋势 | 第23-25页 |
| §1-8 本文主要研究工作 | 第25-26页 |
| 第二章 实验设备及测试技术 | 第26-37页 |
| §2-1 MOCVD 生长系统 | 第26-33页 |
| 2-1-1 MOCVD 技术的基本原理 | 第26-28页 |
| 2-1-2 本实验所采用的MOCVD 设备 | 第28-31页 |
| 2-1-3 激光反射在位监测系统 | 第31-33页 |
| §2-2 主要测试分析技术 | 第33-37页 |
| 2-2-1 X 射线衍射（XRD） | 第33-34页 |
| 2-2-2 扫描电子显微镜（SEM） | 第34页 |
| 2-2-3 原子力显微镜（AFM） | 第34页 |
| 2-2-4 拉曼散射光谱仪(Raman) | 第34-35页 |
| 2-2-5 光致发光光谱(PL) | 第35-37页 |
| 第三章 蓝宝石衬底的腐蚀处理及 GaN 外延生长机理的研究 | 第37-48页 |
| §3-1 概述 | 第37-38页 |
| §3-2 蓝宝石衬底的腐蚀处理 | 第38-43页 |
| 3-2-1 样品的制备 | 第38页 |
| 3-2-2 蓝宝石的性质 | 第38-40页 |
| 3-2-3 蓝宝石衬底的腐蚀温度的确定 | 第40页 |
| 3-2-4 蓝宝石衬底的腐蚀时间的确定 | 第40-43页 |
| §3-3 腐蚀预处理衬底上的GaN 外延生长 | 第43-47页 |
| 3-3-1 外延生长程序 | 第43-45页 |
| 3-3-2 预处理衬底上外延GaN 薄膜的生长机理 | 第45-47页 |
| §3-4 小结 | 第47-48页 |
| 第四章 衬底处理对外延层性能的影响 | 第48-60页 |
| §4-1 衬底处理对外延层性能的影响 | 第48-56页 |
| 4-1-1 衬底腐蚀对外延层表面形貌的影响 | 第48-49页 |
| 4-1-2 衬底腐蚀对缺陷密度的影响 | 第49-50页 |
| 4-1-3 衬底腐蚀对应力的影响 | 第50-56页 |
| §4-2 InGaN 三元合金的制备 | 第56-59页 |
| 4-2-1 量子阱及InGaN/GaN 量子阱简介 | 第56-57页 |
| 4-2-2 InGaN/ GaN 多量子阱（MQW）的生长 | 第57-59页 |
| §4-3 小结 | 第59-60页 |
| 第五章 结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第67页 |
