| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-16页 |
| ·GaSb 的基本物理性质及应用 | 第8-9页 |
| ·GaSb 电池的制备方法与发展状况 | 第9-13页 |
| ·外延生长法制备GaSb 电池 | 第9-10页 |
| ·准密封式Zn 扩散法制备GaSb 电池 | 第10-11页 |
| ·GaSb 电池的发展状况 | 第11-13页 |
| ·本文的研究内容与意义 | 第13-14页 |
| 参考文献 | 第14-16页 |
| 第2章 Zn 在N-GaSb 晶片中扩散的实验系统设计 | 第16-32页 |
| ·扩散实验系统的设计 | 第16-18页 |
| ·扩散炉系统设计 | 第16-17页 |
| ·准密封箱的设计 | 第17-18页 |
| ·N-GaSb 晶片和扩散源的选择 | 第18页 |
| ·实验过程 | 第18-21页 |
| ·准密封箱的高温烘烤 | 第18-19页 |
| ·扩散炉温度的标定 | 第19页 |
| ·晶片和扩散源的清洗 | 第19-20页 |
| ·Zn 扩散实验过程 | 第20-21页 |
| ·实验结果与分析 | 第21-31页 |
| ·SIMS 测试基本原理 | 第21-22页 |
| ·扩散源总量及成分对扩散曲线的影响 | 第22-26页 |
| ·扩散温度对扩散曲线的影响 | 第26-28页 |
| ·扩散时间对扩散曲线的影响 | 第28-31页 |
| 参考文献 | 第31-32页 |
| 第3章 Zn 在N-GaSb 晶片中扩散的理论研究 | 第32-45页 |
| ·扩散的基本理论概述 | 第32-33页 |
| ·微观扩散机制 | 第33-35页 |
| ·晶体中的缺陷 | 第33-34页 |
| ·Vacancy 扩散机制 | 第34页 |
| ·Kick-out 扩散机制 | 第34-35页 |
| ·Zn 在N-GaSb 晶片中扩散曲线的模拟 | 第35-44页 |
| ·扩散曲线的Boltzmann-Matano 分析 | 第35-37页 |
| ·Zn 在N-GaSb 晶片中Kink-and-tail 类型扩散曲线的模拟方法 | 第37-40页 |
| ·不同工况下扩散曲线的模拟与结果分析 | 第40-44页 |
| 参考文献 | 第44-45页 |
| 第4章 GaSb 热光伏电池的制备工艺 | 第45-68页 |
| ·准密封法制备GaSb 电池的几种工艺流程及特点 | 第45-49页 |
| ·单步扩散法制备GaSb 电池的主要工艺流程 | 第45-47页 |
| ·两步扩散法制备GaSb 电池的主要工艺流程 | 第47-48页 |
| ·本文中制备GaSb 电池采用的工艺流程 | 第48-49页 |
| ·单步扩散法制备GaSb 电池的主要工艺流程 | 第49-62页 |
| ·沉积SiNx 介质膜及光刻以选定扩散区域 | 第49-53页 |
| ·准密封式扩散制备PN 结 | 第53页 |
| ·去除背面和周边扩散层 | 第53-54页 |
| ·湿法刻蚀扩散表面的重掺杂区域 | 第54-55页 |
| ·蒸镀上下电极 | 第55-58页 |
| ·制备减反射层 | 第58-59页 |
| ·电池样品的量子效率测试结果与分析 | 第59-61页 |
| ·后期GaSb 电池的制备工艺改进方法 | 第61-62页 |
| ·热光伏电池发展趋势 | 第62-66页 |
| ·Ge 热光伏电池 | 第62-63页 |
| ·InGaAsSb 热光伏电池 | 第63-64页 |
| ·InAsSbP 热光伏电池 | 第64页 |
| ·InGaAs 热光伏电池 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-68页 |
| 第5章 结论 | 第68-69页 |
| 在读期间发表的学术论文 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
