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一般性问题
纳米ZnO薄膜的制备及光学特性的研究
溶胶—凝胶法制备ZnO薄膜及其发光特性研究
硅基高κ材料的分子束外延生长
CVD金刚石薄膜的制备及其特性和器件化研究
Al-N共掺法制备P型ZnO及其性能研究
SRO薄膜的直流溅射生长
吩噻嗪、噁二唑半导体材料的制备及其发光性能的研究
SiC纳米晶薄膜的制备及发光性质
金刚石衬底上压电薄膜的制备研究
自支撑优质金刚石膜制备及红外透射特性研究
新型PST铁电薄膜的制备及其性能研究
CdS-TiO2复合半导体薄膜的制备及其光催化性能的研究
微波等离子体低温CVD金刚石膜工艺和机理研究
金属有机物化学汽相外延法生长ZnO薄膜
电化学自组装金属氧化物及其复合结构和光电器件的研究
射频等离子体辅助分子束外延（rf-MBE）制备高质量ZnO薄膜研究
纳米硅和氧化锌纳米结构的制备及应用研究
TiO2薄膜制备及其氧敏特性研究
FED发光薄膜的制备及其性能研究
多晶硅薄膜场效应结构的晶粒间界能态分布
非致冷红外探测材料InGaAs的生长和性质研究
超薄栅氧化层的热稳定性和隧道电流研究
GaN异质外延初始生长条件的优化及其实时监控
LPD方法制作二氧化硅薄膜的研究及其表征
化学液相淀积法制备氧化铝薄膜
多孔硅复合ZnO和CdS纳米粒子的光致发光特性
用升华法在硅衬底上外延生长β碳化硅薄膜
n型6H-SiC金半接触及相关工艺研究
硅中注氦诱生微孔对金吸除作用的研究
TEOS射频辉光放电分解淀积P-SiO2和P-SiON薄膜的研究
P型杂质Ga在SiO2-Si内界面的分凝特性研究与探讨
导电玻璃和硅上热壁外延生长砷化镓薄膜的研究
用CVD法制备红外块材料ZnS
β碳化硅晶体生长技术的若干基本问题
金刚石薄膜制备及其在改善电力电子器件热特性方面的研究
碳化硅晶体生长设备的研制
用LPCVD法在硅衬底上生长3C-Sic
金刚石薄膜的制备形核及其半导体性质的研究
多孔硅外延层转移SOI新材料制备与改性多孔硅发光性能的研究
氧化钒红外敏感膜和非致冷焦平面成像阵列研究
GaN和AIGaN/GaN的RFP-MBE生长及其特性研究
SiGe-OI新材料制备及其应用的探索研究
ECR_PAMOCVD外延生长C_GaN过程中等离子体微参数对衬底预处理的影响
控制技术在GaN薄膜生长过程中的应用
SR-MOCVD方法沉积ZnO薄膜及其性能研究
平板式PECVD设备布气系统的分析和优化
基于ECR-PEMOCVD技术的GaMnN薄膜的制备及其表征
热丝化学气相沉积制备微晶硅薄膜的研究
直流脉冲磁控溅射法制备SiN_x/SiN_xO_y薄膜及其性能研究
分子束外延生长AIN薄膜的初步研究
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