非晶硅薄膜光学性质的研究及铝诱导晶化法制备多晶硅薄膜
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-17页 |
| ·太阳能电池的意义 | 第8页 |
| ·薄膜太阳能电池的发展 | 第8-10页 |
| ·多晶硅薄膜太阳能电池的研究现状及前景 | 第10页 |
| ·多晶硅薄膜的特点 | 第10-11页 |
| ·多晶硅薄膜的制备方法 | 第11-15页 |
| ·化学气相沉积(CVD) | 第11-12页 |
| ·液相外延法(LPE) | 第12页 |
| ·固相晶化法(SPC) | 第12-13页 |
| ·准分子激光晶化(ELA) | 第13-14页 |
| ·快速热退火(RTA) | 第14页 |
| ·金属诱导晶化法(MIC) | 第14-15页 |
| ·本论文研究的目的及内容 | 第15-17页 |
| 第2章 实验设计和材料表征手段 | 第17-26页 |
| ·衬底清洗 | 第17-18页 |
| ·非晶硅薄膜制备 | 第18-20页 |
| ·PECVD沉积系统 | 第18-19页 |
| ·制备非晶硅薄膜的操作步骤 | 第19页 |
| ·制备非晶硅薄膜的沉积参数 | 第19-20页 |
| ·热蒸发铝膜的制备 | 第20-21页 |
| ·蒸发系统设备 | 第20-21页 |
| ·蒸镀铝膜的实验步骤 | 第21页 |
| ·多晶硅薄膜的制备 | 第21-22页 |
| ·薄膜样品的表征 | 第22-26页 |
| ·X射线衍射(XRD)谱 | 第22页 |
| ·激光拉曼(Raman)谱 | 第22-23页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第23-24页 |
| ·紫外可见近红外(UV-VIS-NIR)谱 | 第24-26页 |
| 第3章 PECVD沉积非晶硅薄膜机理及生长机制 | 第26-30页 |
| ·PECVD沉积非晶硅薄膜机理 | 第26-28页 |
| ·PECVD沉积基本原理 | 第26-27页 |
| ·PECVD沉积非晶硅薄膜的化学反应 | 第27-28页 |
| ·非晶硅薄膜的生长机制 | 第28-30页 |
| 第4章 非晶硅薄膜光学性质研究 | 第30-37页 |
| ·用分光光度法测量薄膜透射谱 | 第30-31页 |
| ·分光光度计原理 | 第30-31页 |
| ·分光光度计改进 | 第31页 |
| ·包络法研究a-si:H薄膜光学常数 | 第31-37页 |
| ·包络法理论模型 | 第31-33页 |
| ·a-si:H薄膜的光学常数 | 第33-37页 |
| 第5章 金属铝诱导制备多晶硅薄膜研究 | 第37-55页 |
| ·金属在诱导晶化中的作用 | 第37-38页 |
| ·影响铝诱导晶化的主要因素 | 第38-55页 |
| ·退火温度对铝诱导晶化的影响 | 第38-43页 |
| ·退火时间对铝诱导晶化的影响 | 第43-48页 |
| ·分步退火对铝诱导晶化的影响 | 第48-52页 |
| ·硅膜厚度对薄膜晶化的影响 | 第52-54页 |
| ·氧化层对薄膜晶化的影响 | 第54页 |
| ·衬底材料对薄膜晶化的影响 | 第54-55页 |
| 第6章 铝诱导层交换的晶化机理 | 第55-58页 |
| ·铝诱导层交换的驱动力 | 第55页 |
| ·铝诱导层交换过程的晶化机理 | 第55-58页 |
| 总结 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 攻读硕士学位期间科研成果 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
