| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 概述 | 第9-21页 |
| ·研究Cu/Si体系扩散和界面反应的意义 | 第9-11页 |
| ·研究Cu/Si体系扩散和界面反应的现状 | 第11-13页 |
| ·选题依据和研究思想 | 第13-15页 |
| 参考文献 | 第15-21页 |
| 第二章 扩散和界面反应理论 | 第21-39页 |
| ·扩散 | 第21-31页 |
| ·扩散的分类 | 第21-22页 |
| ·扩散理论 | 第22-26页 |
| ·扩散机制 | 第26-28页 |
| ·影响扩散的因素 | 第28-30页 |
| ·铜在硅中的扩散 | 第30-31页 |
| ·界面反应 | 第31-36页 |
| ·界面反应动力学概论 | 第31-32页 |
| ·Cu/Si体系界面反应动力学 | 第32-36页 |
| 参考文献 | 第36-39页 |
| 第三章 实验方法 | 第39-49页 |
| ·磁控溅射方法沉积Cu/Si(100)薄膜 | 第39-41页 |
| ·磁控溅射方法 | 第39-40页 |
| ·磁控溅射方法成膜的物理过程 | 第40-41页 |
| ·衬底片的准备 | 第41页 |
| ·沉积薄膜 | 第41页 |
| ·团簇束沉积Cu/Si(100)薄膜 | 第41-45页 |
| ·实验装置 | 第42-45页 |
| ·衬底片的准备 | 第45页 |
| ·沉积薄膜 | 第45页 |
| ·样品处理 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |
| 第四章 利用RBS研究Cu/Si(100)体系扩散 | 第49-75页 |
| ·卢瑟福背散射原理 | 第49-53页 |
| ·背散射粒子能量与靶质量的关系 | 第50-51页 |
| ·背散射粒子能量与样品深度的关系 | 第51-53页 |
| ·原子含量分析 | 第53页 |
| ·Cu/Si(100)体系RBS谱的处理及计算 | 第53-56页 |
| ·卢瑟福背散射分析实验 | 第56-57页 |
| ·样品的准备 | 第57页 |
| ·磁控溅射沉积Cu/Si(100)薄膜的RBS分析和讨论 | 第57-60页 |
| ·团簇束沉积Cu/Si(100)薄膜的RBS分析和讨论 | 第60-71页 |
| ·中性和离化(Va=0kV)团簇束沉积薄膜的RBS分析 | 第60-66页 |
| ·离化(Va=1kV、3kV、5kV)团簇束沉积薄膜的RBS分析 | 第66-71页 |
| ·结论 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-75页 |
| 第五章 利用XRD研究Cu/Si(100)体系界面反应 | 第75-93页 |
| ·X射线衍射分析原理 | 第75-77页 |
| ·Cu-Si体系 | 第77-79页 |
| ·样品的准备 | 第79-80页 |
| ·结果和讨论 | 第80-90页 |
| ·利用XRD分析磁控溅射沉积Cu/Si(100)样品 | 第80-82页 |
| ·利用XRD分析团簇束沉积Cu/Si(100)样品 | 第82-90页 |
| ·结论 | 第90-92页 |
| 参考文献 | 第92-93页 |
| 第六章 总结 | 第93-97页 |
| 致谢 | 第97页 |
