| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第6-9页 |
| ·引言 | 第6-7页 |
| ·薄膜材料外延生长的基本物理过程 | 第7-8页 |
| ·本论文研究的主要内容 | 第8-9页 |
| 第2章 外延生长设备(MBE)与低温扫描隧道显微镜(LT-STM) | 第9-24页 |
| ·超高真空环境的必要性 | 第9-10页 |
| ·分子束外延生长 | 第10-18页 |
| ·MBE设备的结构 | 第12-13页 |
| ·MBE生长系统的工作原理 | 第13-14页 |
| ·MBE生长过程的RHEED监测 | 第14-18页 |
| ·低温扫描隧道显微镜(LT-STM) | 第18-21页 |
| ·隧道效应 | 第18-19页 |
| ·低温扫描隧道显微镜(LT-STM)的结构特点 | 第19-20页 |
| ·扫描隧道显微镜(STM)的工作特点 | 第20-21页 |
| ·MBE与LT-STM的超高真空联接 | 第21-24页 |
| ·MBE/LT-STM超高真空联接 | 第22-23页 |
| ·样品的传输 | 第23-24页 |
| 第3章 MBE与LT-STM的调试 | 第24-35页 |
| ·真空室超高真空的获得 | 第24-25页 |
| ·MBE与LT-STM的烘烤 | 第25页 |
| ·MBE的调试 | 第25-33页 |
| ·MBE中各分子束源炉坩埚的除气 | 第25-28页 |
| ·RHEED的调试 | 第28-29页 |
| ·样品盘的改进 | 第29-30页 |
| ·As束流压强的校准 | 第30-33页 |
| ·LT-STM的调试 | 第33-35页 |
| ·LT-STM的扫描成像调试 | 第33-34页 |
| ·STM探针的清洗 | 第34-35页 |
| 第4章 STM探针电化学腐蚀装置的设计、制作与实验研究 | 第35-42页 |
| ·引言 | 第35-36页 |
| ·STM探针电化学腐蚀装置的设计、制作及使用 | 第36-38页 |
| ·电化学腐蚀装置的设计 | 第36-37页 |
| ·自制电化学腐蚀装置的使用方法 | 第37-38页 |
| ·自制STM探针电化学腐蚀装置的实验研究 | 第38-42页 |
| ·电压对针尖质量和反应时间的影响 | 第38-39页 |
| ·液泡厚度对针尖质量和反应时间的影响 | 第39-40页 |
| ·残余电流对针尖质量的影响 | 第40-41页 |
| ·结论 | 第41-42页 |
| 第5章 InGaAs/GaAs外延薄膜的生长及其表面粗糙化的研究 | 第42-59页 |
| ·InGaAs/GaAs外延薄膜的生长模式及特性 | 第42-49页 |
| ·生长模式 | 第42-43页 |
| ·In组分的比例对InGaAs性能的影响 | 第43-47页 |
| ·应变材料的临界厚度 | 第47-49页 |
| ·表面粗糙化的基本理论 | 第49-52页 |
| ·格气艾辛模型和RSOS模型 | 第49-51页 |
| ·RSOS模型相图 | 第51-52页 |
| ·InGaAs/GaAs外延薄膜的生长 | 第52-54页 |
| ·InGaAs/GaAs表面粗糙化的研究 | 第54-55页 |
| ·实验结果分析及讨论 | 第55-59页 |
| 第6章 总结 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和参加科研情况 | 第65-66页 |
