| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| ·本文研究的目的和意义 | 第8-9页 |
| ·MOCVD国内外研究现状 | 第9-11页 |
| ·国外研究现状 | 第9-10页 |
| ·国内研究现状 | 第10-11页 |
| ·本论文的主要研究工作 | 第11-12页 |
| 第二章 MOCVD的基本理论 | 第12-22页 |
| ·GaN的主要生长方法 | 第12-16页 |
| ·GaN晶体结构 | 第12-13页 |
| ·GaN的制备技术 | 第13-16页 |
| ·MOCVD系统的组成与特点 | 第16-20页 |
| ·MOCVD技术简介 | 第16-17页 |
| ·目前全球及国内的MOCVD系统 | 第17-18页 |
| ·目前常见的几种反应室结构 | 第18-20页 |
| ·小结 | 第20-22页 |
| 第三章 数值模型与计算方法 | 第22-34页 |
| ·数值模型的建立 | 第22-27页 |
| ·基本假设 | 第22页 |
| ·控制方程和边界条件 | 第22-24页 |
| ·气体热物性参数 | 第24-27页 |
| ·数值模拟方法 | 第27-30页 |
| ·控制方程的离散 | 第27-28页 |
| ·双向坐标与单项坐标 | 第28页 |
| ·SIMPLE算法 | 第28-29页 |
| ·数值求解流程 | 第29-30页 |
| ·FLUENT软件简介 | 第30-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 反应室流场的影响因素 | 第34-54页 |
| ·单片设备二维模型的建立 | 第34-37页 |
| ·工艺参数对流场的影响 | 第37-42页 |
| ·入流流速对反应室流场的影响 | 第37-40页 |
| ·压强对反应室流场的影响 | 第40-41页 |
| ·入流流速对反应室温度场的影响 | 第41-42页 |
| ·石墨基座旋转速度对反应室流场的影响 | 第42页 |
| ·反应室结构尺寸对流场的影响 | 第42-47页 |
| ·反应室内圆半径对流场的影响 | 第43页 |
| ·入流流入面积对流场的影响 | 第43-45页 |
| ·石墨基座上表面与反应室顶壁的距离 L对流场的影响 | 第45-47页 |
| ·单片设备的三维模拟分析 | 第47-50页 |
| ·三维模型的建立 | 第47-48页 |
| ·模拟结果的分析 | 第48-50页 |
| ·三片 MOCVD系统反应室的模拟结果与讨论 | 第50-53页 |
| ·模型的建立 | 第50-51页 |
| ·模拟结果与分析 | 第51-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 工艺窗口条件的确定 | 第54-60页 |
| ·石墨基座不旋转情况下的工艺窗口条件 | 第54-55页 |
| ·石墨基座低转速下的工艺窗口条件 | 第55-57页 |
| ·石墨基座高转速下的工艺窗口条件 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第六章 浓度场的影响因素 | 第60-64页 |
| ·石墨基座表面温度对浓度场的影响 | 第60-61页 |
| ·流场对浓度场的影响 | 第61-62页 |
| ·压强对浓度场的影响 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第七章 结论 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 作者攻读硕士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第72页 |