利用金属氧化法在不同衬底上制备氧化钒薄膜的研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·氧化钒材料的发展状况 | 第9-12页 |
| ·氧化钒在非制冷红外探测技术中的应用 | 第9-11页 |
| ·氧化钒在光存储技术中的应用 | 第11-12页 |
| ·氧化钒在光通信技术中的应用 | 第12页 |
| ·氧化钒在其他领域的应用情况 | 第12页 |
| ·本文的课题背景、研究目的和研究内容 | 第12-14页 |
| 第二章 氧化钒性质及实验原理 | 第14-28页 |
| ·氧化钒的物理、化学性质 | 第14-18页 |
| ·钒氧化物体系及基本性质 | 第14-15页 |
| ·二氧化钒的晶体、能带结构 | 第15-16页 |
| ·五氧化二钒的晶体、能带结构 | 第16-17页 |
| ·氧化钒体系的相变机理 | 第17-18页 |
| ·溅射镀膜技术 | 第18-21页 |
| ·真空技术 | 第18-19页 |
| ·溅射机理 | 第19页 |
| ·直流对靶磁控溅射镀膜法 | 第19-21页 |
| ·其他常见的氧化钒薄膜制备方法 | 第21-22页 |
| ·蒸发镀膜 | 第21页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第21页 |
| ·液相沉积法和热分解法 | 第21-22页 |
| ·脉冲激光沉积法 | 第22页 |
| ·薄膜的基本性质 | 第22-25页 |
| ·薄膜的形成 | 第22-23页 |
| ·薄膜的结构 | 第23页 |
| ·薄膜的力学性能 | 第23-24页 |
| ·薄膜的缺陷 | 第24-25页 |
| ·金属薄膜的氧化 | 第25页 |
| ·氧化钒的电阻温度系数(TCR) | 第25-28页 |
| ·电阻温度系数 | 第25-26页 |
| ·四探针法测薄膜方阻 | 第26-28页 |
| 第三章 制备方法与实验准备 | 第28-38页 |
| ·衬底种类和制备方法 | 第28-31页 |
| ·Si_3N_4衬底 | 第28-29页 |
| ·导电玻璃衬底 | 第29-30页 |
| ·多孔硅衬底 | 第30-31页 |
| ·玻璃衬底 | 第31页 |
| ·氧化钒薄膜的制备方法 | 第31-33页 |
| ·溅射金属钒薄膜 | 第32-33页 |
| ·退火氧化 | 第33页 |
| ·正交实验法 | 第33-35页 |
| ·电阻温度特性测量 | 第35-37页 |
| ·蒸镀电极 | 第36-37页 |
| ·加热装置 | 第37页 |
| ·设备列表 | 第37-38页 |
| 第四章 实验分析 | 第38-59页 |
| ·氮化硅衬底上制备氧化钒薄膜的研究 | 第38-46页 |
| ·氮化硅衬底制备氧化钒薄膜的电阻温度特性 | 第38-42页 |
| ·X射线衍射分析 | 第42-43页 |
| ·金属氧化法与反应溅射法制膜的对比 | 第43-46页 |
| ·玻璃衬底上制备的氧化钒薄膜的研究 | 第46-51页 |
| ·玻璃衬底制备氧化钒薄膜的电阻温度特性 | 第47-49页 |
| ·最优工艺讨论 | 第49-50页 |
| ·与反应溅射的对比 | 第50-51页 |
| ·导电玻璃衬底上制备氧化钒薄膜的研究 | 第51-56页 |
| ·导电玻璃的电学性能研究 | 第51-52页 |
| ·导电玻璃衬底制备氧化钒薄膜的电阻温度特性 | 第52-55页 |
| ·尝试利用导电玻璃作电极对氧化钒薄膜加热 | 第55-56页 |
| ·多孔硅衬底上制备氧化钒薄膜的研究 | 第56-59页 |
| 第五章 实验总结与展望 | 第59-61页 |
| ·实验结论 | 第59-60页 |
| ·工作展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
