| 内容提要 | 第1-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-20页 |
| ·锑化物半导体材料 | 第8-11页 |
| ·GaSb二元材料 | 第8-9页 |
| ·InAsSb材料简述 | 第9-10页 |
| ·GaInAsSb材料简述 | 第10-11页 |
| ·热光伏技术 | 第11-16页 |
| ·热光伏系统的概念描述 | 第11-13页 |
| ·热光伏电池的相关参数 | 第13-15页 |
| ·热光伏电池的研究进程 | 第15-16页 |
| ·基于锑化物的热光伏电池 | 第16-18页 |
| ·GaSb热光伏电池 | 第16-17页 |
| ·GaInAsSb/GaSb结构热光伏电池 | 第17-18页 |
| ·热光伏电池的应用价值及应用前景 | 第18-19页 |
| ·论文的主要内容及目的 | 第19-20页 |
| 第二章 MOCVD外延设备及外延生长 | 第20-26页 |
| ·InAsSb材料的MOCVD生长 | 第20-25页 |
| ·MOCVD外延技术的概念和原理 | 第20-21页 |
| ·MOCVD生长技术的特点 | 第21-22页 |
| ·MOCVD设备介绍 | 第22-23页 |
| ·InAsSb材料的MOCVD生长 | 第23-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 材料表征及结果讨论 | 第26-34页 |
| ·成分及结构 | 第26-31页 |
| ·X射线衍射(X-ray diffraction,XRD) | 第26-30页 |
| ·X射线光电子能谱(X-ray photoelectron spectroscopy,XPS) | 第30-31页 |
| ·电学特性 | 第31-33页 |
| ·范德堡(Van de pauw)法霍尔测量 | 第31-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 GaInAsSb热光伏器件模拟 | 第34-76页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·GaInAsSb TPV器件模拟思路 | 第34-35页 |
| ·GaInAsSb材料光学系数的模拟 | 第35-40页 |
| ·理论分析 | 第36-38页 |
| ·GaInAsSb相关参数 | 第38-39页 |
| ·吸收系数的计算公式 | 第39页 |
| ·计算结果及讨论 | 第39-40页 |
| ·暗电流 | 第40-59页 |
| ·理论分析 | 第41-43页 |
| ·计算结果和讨论 | 第43-59页 |
| ·内量子效率 | 第59-73页 |
| ·内量子效率的理论分析 | 第59-60页 |
| ·量子效率的计算和讨论 | 第60-71页 |
| ·Ga_(0.87)In_(0.13)As_(0.12)Sb_(0.88)同质结TPV器件的内量子效率计算结果 | 第71-73页 |
| ·本章小结 | 第73-76页 |
| 第五章 结论 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-84页 |
| 攻读硕士期间发表论文情况 | 第84-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
| 摘要 | 第86-89页 |
| ABSTRACT | 第89-93页 |
