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磁控溅射法制备WO3基薄膜及相关物理性能的研究

摘要第1-7页
Abstract第7-12页
第1章 绪论第12-29页
   ·引言第12-13页
   ·压敏电阻器第13-17页
     ·压敏电阻的电学特性第14-16页
     ·压敏电阻主要性能参数第16-17页
   ·WO_3薄膜的基本物理性质第17-19页
     ·WO_3薄膜的晶体结构第17-18页
     ·WO_3薄膜的非晶体结构第18-19页
   ·WO_3薄膜的研究现状第19页
   ·WO_3薄膜制备方法第19-22页
   ·WO_3薄膜的应用前景第22-25页
     ·电、光致变色性质第22-23页
     ·气体传感材料第23-24页
     ·压敏电阻材料第24页
     ·可变发射率热控涂层材料第24-25页
     ·光催化降解第25页
     ·固溶体电极材料第25页
     ·微波吸收材料第25页
   ·影响WO_3压敏性能的主要因素第25-27页
     ·结构的影响第26页
     ·掺杂的影响第26-27页
   ·本文的研究背景和意义第27页
   ·本文的工作第27-29页
第2章 磁控溅射镀膜基本原理第29-37页
   ·溅射现象及机理第29-30页
     ·离子轰击固体表面所引起的各种效应第29-30页
     ·溅射机理第30页
   ·溅射镀膜的特点第30-31页
   ·基本溅射镀膜类型第31-37页
     ·直流溅射第31-32页
     ·射频溅射第32-33页
     ·反应溅射第33-34页
     ·磁控溅射第34-37页
第3章 样品的制备及实验测试方法第37-43页
   ·薄膜样品的制备第37-40页
     ·磁控溅射沉积系统第37页
     ·基材预处理方法第37-38页
     ·磁控溅射法实验步骤第38-39页
     ·WO_3薄膜的制备工作参数第39页
     ·Co,Ce掺杂的WO_3薄膜的制备工作参数第39-40页
   ·样品显微结构测试第40-42页
     ·X射线衍射(XRD)分析第40-41页
     ·扫描电镜分析(SEM)第41-42页
   ·样品的厚度测试第42页
   ·样品电学性能测试第42-43页
第4章 WO_3薄膜的电学行为的研究第43-57页
   ·cWO_3薄膜的制备过程第43-44页
     ·不同溅射时间下薄膜的厚度第43-44页
     ·不同溅射功率下薄膜的厚度第44页
   ·相同退火时间不同退火温度对材料电学性能的影响第44-48页
     ·相结构分析第44-45页
     ·显微结构分析第45-46页
     ·电学性能第46-48页
   ·相同退火温度不同退火时间对材料电学性能的影响第48-50页
     ·显微结构分析第48页
     ·电流—电压(I-V)特性第48-49页
     ·退火温度对压敏电压和漏电流的影响第49-50页
   ·样品伏安特性的稳定性第50-51页
   ·样品的复阻抗特性研究第51-53页
     ·样品交流阻抗谱第53页
   ·多晶和非晶WO_3薄膜非线性电学性质机理解释第53-55页
   ·薄膜生长机理分析第55-56页
     ·非晶薄膜的形成机理第55-56页
     ·热处理时薄膜的生长机理第56页
   ·本章小结第56-57页
第5章 Co掺杂的WO_3薄膜的电学性质第57-65页
   ·引言第57页
   ·样品的制备第57页
   ·显微结构第57-60页
   ·相结构分析第60页
   ·电—电压(I-V)特性第60-62页
   ·掺Co对WO_3薄膜电学性能的影响第62-63页
   ·非线性伏安特性稳定性分析第63-64页
   ·样品交流阻抗谱第64页
   ·本章小结第64-65页
第6章 Ce掺杂的WO_3钨薄膜的电学性质第65-74页
   ·引言第65页
   ·显微结构第65-66页
   ·相结构分析第66页
   ·电流—电压(I-V)特性第66-67页
   ·晶界特性分析第67-70页
   ·掺Ce对WO_3薄膜电学性能的影响第70-72页
   ·非线性伏安特性稳定性分析第72-73页
   ·本章小结第73-74页
总结第74-75页
致谢第75-76页
参考文献第76-84页
攻读硕士学位期间发表的论文第84页

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