磁控溅射法制备WO3基薄膜及相关物理性能的研究
摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-12页 |
第1章 绪论 | 第12-29页 |
·引言 | 第12-13页 |
·压敏电阻器 | 第13-17页 |
·压敏电阻的电学特性 | 第14-16页 |
·压敏电阻主要性能参数 | 第16-17页 |
·WO_3薄膜的基本物理性质 | 第17-19页 |
·WO_3薄膜的晶体结构 | 第17-18页 |
·WO_3薄膜的非晶体结构 | 第18-19页 |
·WO_3薄膜的研究现状 | 第19页 |
·WO_3薄膜制备方法 | 第19-22页 |
·WO_3薄膜的应用前景 | 第22-25页 |
·电、光致变色性质 | 第22-23页 |
·气体传感材料 | 第23-24页 |
·压敏电阻材料 | 第24页 |
·可变发射率热控涂层材料 | 第24-25页 |
·光催化降解 | 第25页 |
·固溶体电极材料 | 第25页 |
·微波吸收材料 | 第25页 |
·影响WO_3压敏性能的主要因素 | 第25-27页 |
·结构的影响 | 第26页 |
·掺杂的影响 | 第26-27页 |
·本文的研究背景和意义 | 第27页 |
·本文的工作 | 第27-29页 |
第2章 磁控溅射镀膜基本原理 | 第29-37页 |
·溅射现象及机理 | 第29-30页 |
·离子轰击固体表面所引起的各种效应 | 第29-30页 |
·溅射机理 | 第30页 |
·溅射镀膜的特点 | 第30-31页 |
·基本溅射镀膜类型 | 第31-37页 |
·直流溅射 | 第31-32页 |
·射频溅射 | 第32-33页 |
·反应溅射 | 第33-34页 |
·磁控溅射 | 第34-37页 |
第3章 样品的制备及实验测试方法 | 第37-43页 |
·薄膜样品的制备 | 第37-40页 |
·磁控溅射沉积系统 | 第37页 |
·基材预处理方法 | 第37-38页 |
·磁控溅射法实验步骤 | 第38-39页 |
·WO_3薄膜的制备工作参数 | 第39页 |
·Co,Ce掺杂的WO_3薄膜的制备工作参数 | 第39-40页 |
·样品显微结构测试 | 第40-42页 |
·X射线衍射(XRD)分析 | 第40-41页 |
·扫描电镜分析(SEM) | 第41-42页 |
·样品的厚度测试 | 第42页 |
·样品电学性能测试 | 第42-43页 |
第4章 WO_3薄膜的电学行为的研究 | 第43-57页 |
·cWO_3薄膜的制备过程 | 第43-44页 |
·不同溅射时间下薄膜的厚度 | 第43-44页 |
·不同溅射功率下薄膜的厚度 | 第44页 |
·相同退火时间不同退火温度对材料电学性能的影响 | 第44-48页 |
·相结构分析 | 第44-45页 |
·显微结构分析 | 第45-46页 |
·电学性能 | 第46-48页 |
·相同退火温度不同退火时间对材料电学性能的影响 | 第48-50页 |
·显微结构分析 | 第48页 |
·电流—电压(I-V)特性 | 第48-49页 |
·退火温度对压敏电压和漏电流的影响 | 第49-50页 |
·样品伏安特性的稳定性 | 第50-51页 |
·样品的复阻抗特性研究 | 第51-53页 |
·样品交流阻抗谱 | 第53页 |
·多晶和非晶WO_3薄膜非线性电学性质机理解释 | 第53-55页 |
·薄膜生长机理分析 | 第55-56页 |
·非晶薄膜的形成机理 | 第55-56页 |
·热处理时薄膜的生长机理 | 第56页 |
·本章小结 | 第56-57页 |
第5章 Co掺杂的WO_3薄膜的电学性质 | 第57-65页 |
·引言 | 第57页 |
·样品的制备 | 第57页 |
·显微结构 | 第57-60页 |
·相结构分析 | 第60页 |
·电—电压(I-V)特性 | 第60-62页 |
·掺Co对WO_3薄膜电学性能的影响 | 第62-63页 |
·非线性伏安特性稳定性分析 | 第63-64页 |
·样品交流阻抗谱 | 第64页 |
·本章小结 | 第64-65页 |
第6章 Ce掺杂的WO_3钨薄膜的电学性质 | 第65-74页 |
·引言 | 第65页 |
·显微结构 | 第65-66页 |
·相结构分析 | 第66页 |
·电流—电压(I-V)特性 | 第66-67页 |
·晶界特性分析 | 第67-70页 |
·掺Ce对WO_3薄膜电学性能的影响 | 第70-72页 |
·非线性伏安特性稳定性分析 | 第72-73页 |
·本章小结 | 第73-74页 |
总结 | 第74-75页 |
致谢 | 第75-76页 |
参考文献 | 第76-84页 |
攻读硕士学位期间发表的论文 | 第84页 |