GaSb电池制备和Zn在N-GaSb晶片中扩散机理的研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第1章 绪论 | 第7-19页 |
| ·PV 电池的基本原理 | 第7-11页 |
| ·GaSb 电池的发展状况 | 第11-15页 |
| ·GaSb 在TPV 系统中的应用 | 第11-14页 |
| ·GaSb 在机械堆栈太阳能系统中的应用 | 第14-15页 |
| ·本论文的主要工作内容 | 第15-17页 |
| 参考文献 | 第17-19页 |
| 第2章 GaSb 电池的制备工艺 | 第19-39页 |
| ·概述 | 第19-21页 |
| ·实验用N-GaSb 的参数 | 第19页 |
| ·工艺流程 | 第19-21页 |
| ·晶片的清洗 | 第21-22页 |
| ·杂质Zn 扩散区域的选定 | 第22-29页 |
| ·选择性扩散方案 | 第22-23页 |
| ·光刻流程介绍 | 第23-29页 |
| ·杂质Zn 在N-GaSb 中扩散的过程 | 第29-32页 |
| ·单步气相扩散法 | 第29-31页 |
| ·两步气相扩散法 | 第31-32页 |
| ·液相扩散法 | 第32页 |
| ·背面和周侧P-N 结的去除 | 第32页 |
| ·扩散表面重掺杂区域的刻蚀 | 第32-34页 |
| ·湿法化学刻蚀 | 第33页 |
| ·阳极氧化刻蚀 | 第33-34页 |
| ·制备背电极 | 第34-35页 |
| ·制备前电极 | 第35-36页 |
| ·抗反射涂层的制备 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-39页 |
| 第3章 扩散实验的设计和实验过程 | 第39-49页 |
| ·准密封箱的设计 | 第39-43页 |
| ·准密封箱的整体结构 | 第40页 |
| ·晶片载体的设计 | 第40-41页 |
| ·石墨网的设计 | 第41-42页 |
| ·扩散源载体的设计 | 第42页 |
| ·石墨支架的设计 | 第42-43页 |
| ·石墨盒的设计 | 第43页 |
| ·扩散系统的设计 | 第43-44页 |
| ·实验过程 | 第44-48页 |
| ·高温烘烤 | 第44-45页 |
| ·实验温度的标定 | 第45-46页 |
| ·清洗和实验过程 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-49页 |
| 第4章 实验结果和讨论 | 第49-67页 |
| ·SIMS 测量基本原理 | 第49-52页 |
| ·扫描电子显微镜测量基本原理 | 第52-53页 |
| ·光学显微镜简介 | 第53-54页 |
| ·实验结果与讨论 | 第54-66页 |
| ·Zn 用量对扩散形貌的影响 | 第54-62页 |
| ·内量子效率的模拟结算 | 第62-65页 |
| ·小结 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-67页 |
| 结论 | 第67-68页 |
| 在读期间发表的学术论文 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
