| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·本文研究内容及国内外研究现状 | 第11-12页 |
| ·本文章节安排 | 第12-14页 |
| 第二章 Si_(1-x)Ge_x/Si应变材料的性质 | 第14-24页 |
| ·Si_(1-x)Ge_x材料的性质 | 第14-19页 |
| ·Si_(1-x)Ge_x的基本物理特性 | 第14页 |
| ·Si_(1-x)Ge_x的晶格失配和赝晶生长的临界厚度 | 第14-16页 |
| ·Si_(1-x)Ge_x的能带结构 | 第16-18页 |
| ·应变Si_(1-x)Ge_x材料的载流子迁移率 | 第18-19页 |
| ·应变Si材料的性质 | 第19-22页 |
| ·应变Si材料的生长 | 第19页 |
| ·应变Si的能带结构 | 第19-21页 |
| ·应变Si的载流子迁移率 | 第21-22页 |
| ·本章小结 | 第22-24页 |
| 第三章 Si_(1-x)Ge_x/Si应变材料的制备与表征 | 第24-36页 |
| ·Si_(1-x)Ge_x/Si应变材料的制备技术 | 第24-30页 |
| ·分子束外延 | 第24-25页 |
| ·化学气相淀积 | 第25-29页 |
| ·不同外延技术的对比 | 第29-30页 |
| ·Si_(1-x)Ge_x/Si材料的表征技术 | 第30-35页 |
| ·双晶X射线衍射仪(DCXRD) | 第30-32页 |
| ·拉曼(Raman)光谱 | 第32-33页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第33页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第33-34页 |
| ·二次离子质谱(SIMS) | 第34页 |
| ·俄歇电子能谱(AES)和卢瑟福背散射谱(RBS) | 第34页 |
| ·反射式高能电子衍射(RHEED)分析技术 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 UHV/CVD薄膜生长理论 | 第36-50页 |
| ·真空技术基础 | 第36-40页 |
| ·气体分子的运动速度及分布 | 第36页 |
| ·气体的压强和气体分子的平均自由程 | 第36-37页 |
| ·气体分子的通量 | 第37-38页 |
| ·气体的流动状态 | 第38-39页 |
| ·真空泵及真空测量简介 | 第39-40页 |
| ·CVD过程中的热力学 | 第40-41页 |
| ·化学反应的自由能变化 | 第40-41页 |
| ·化学反应路线的选择 | 第41页 |
| ·化学反应平衡的计算 | 第41页 |
| ·CVD过程中的动力学 | 第41-44页 |
| ·气体的输运 | 第42页 |
| ·气体组分的扩散 | 第42页 |
| ·气相化学反应 | 第42-43页 |
| ·表面吸附及表面化学反应 | 第43页 |
| ·表面扩散 | 第43-44页 |
| ·薄膜生长理论 | 第44-49页 |
| ·薄膜生长的基本过程 | 第44-48页 |
| ·薄膜的生长模式 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 UHV/CVD生长Si_(1-x)Ge_x/Si应变材料机理研究 | 第50-62页 |
| ·UHV/CVD外延薄膜机理 | 第50-53页 |
| ·外延薄膜机理 | 第50-52页 |
| ·UHV/CVD外延 | 第52-53页 |
| ·Si_(1-x)Ge_x/Si应变材料生长机理的研究成果 | 第53-55页 |
| ·化学热力学模型 | 第53页 |
| ·三个分生长速度模型 | 第53-54页 |
| ·表面反应动力学模型 | 第54-55页 |
| ·SiH4+GeH4+H2气源系统生长机理 | 第55-58页 |
| ·H2 | 第55页 |
| ·SiH4 | 第55-57页 |
| ·GeH4 | 第57-58页 |
| ·Si2H6+GeH4+H2气源系统生长机理 | 第58-59页 |
| ·含Cl气源系统生长机理 | 第59-60页 |
| ·本章小结 | 第60-62页 |
| 第六章 UHV/CVD生长Si_(1-x)Ge_x/Si应变材料动力学研究 | 第62-78页 |
| ·Si_(1-x)Ge_x/Si应变材料的生长现象及规律分析 | 第62-65页 |
| ·组分与实验条件的关系 | 第62-63页 |
| ·生长速率与实验条件的关系 | 第63-65页 |
| ·Si_(1-x)Ge_x材料表面反应动力学研究 | 第65-68页 |
| ·H2的表面碰撞及吸附分解 | 第65页 |
| ·MH4的表面碰撞及吸附分解 | 第65-67页 |
| ·表面脱附 | 第67-68页 |
| ·生长动力学公式 | 第68页 |
| ·气体动力学模型建模方法初探 | 第68-74页 |
| ·模拟条件 | 第69-71页 |
| ·实验粒子法模拟过程 | 第71-73页 |
| ·随机数发生器的选取 | 第73-74页 |
| ·统一模型 | 第74-75页 |
| ·应变Si材料生长动力学 | 第75-76页 |
| ·本章小结 | 第76-78页 |
| 第七章 结论 | 第78-80页 |
| 致谢 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-85页 |
