| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 1 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 MoS_2的结构 | 第9-11页 |
| 1.3 MoS_2的性能 | 第11-14页 |
| 1.3.1 MoS_2的力学性能 | 第11-12页 |
| 1.3.2 MoS_2的光、电学性能 | 第12-14页 |
| 1.4 MoS_2制备方法的研究现状 | 第14-20页 |
| 1.4.1 微机械剥离法 | 第14-15页 |
| 1.4.2 液相剥离法 | 第15-16页 |
| 1.4.3 锂离子插层剥离法 | 第16页 |
| 1.4.4 高温热分解法 | 第16-17页 |
| 1.4.5 化学气相沉积法 | 第17-19页 |
| 1.4.6 MoS_2的应用 | 第19-20页 |
| 1.5 MoS_2制备方法的选择 | 第20-21页 |
| 1.6 本文的研究内容与意义 | 第21-23页 |
| 1.6.1 研究内容 | 第21-22页 |
| 1.6.2 研究意义 | 第22-23页 |
| 2 薄膜制备方法及表征技术 | 第23-32页 |
| 2.1 薄膜制备方法 | 第23-25页 |
| 2.1.1 引言 | 第23页 |
| 2.1.2 磁控溅射 | 第23-24页 |
| 2.1.3 化学气相沉积 | 第24页 |
| 2.1.4 原子层沉积 | 第24-25页 |
| 2.2 光刻与刻蚀技术 | 第25-26页 |
| 2.3 快速热退火(Rapid Thermal Annealing,RTA) | 第26页 |
| 2.4 薄膜的表征方法 | 第26-32页 |
| 2.4.1 MoS_2薄膜形貌表征方法 | 第26-29页 |
| 2.4.2 MoS_2薄膜结晶质量表征方法 | 第29页 |
| 2.4.3 MoS_2薄膜电学性能表征方法 | 第29-32页 |
| 3 MoS_2薄膜的制备和形貌表征 | 第32-46页 |
| 3.1 引言 | 第32页 |
| 3.2 MoS_2薄膜的制备 | 第32-39页 |
| 3.2.1 磁控溅射镀钼 | 第32-36页 |
| 3.2.2 CVD法制备MoS_2 | 第36-37页 |
| 3.2.3 MoS_2薄膜的转移 | 第37-39页 |
| 3.3 MoS_2薄膜的表征 | 第39-45页 |
| 3.3.1 光学显微镜 | 第39-40页 |
| 3.3.2 原子力显微镜 | 第40-42页 |
| 3.3.3 拉曼散射图谱 | 第42-44页 |
| 3.3.4 XRD衍射图谱 | 第44-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 4 MoS_2-MOSFET的制备和电学特性表征 | 第46-54页 |
| 4.1 引言 | 第46页 |
| 4.2 MoS_2晶体管的制备 | 第46-49页 |
| 4.2.1 背栅MoS_2-MOSFET的制备 | 第46-48页 |
| 4.2.2 顶栅MoS_2-MOSFET的制备 | 第48-49页 |
| 4.3 MoS_2电学特性的表征 | 第49-53页 |
| 4.3.1 单层MoS_2-FET电学性能测试 | 第50-51页 |
| 4.3.2 多层MoS_2-FET电学性能测试 | 第51-52页 |
| 4.3.3 顶栅MoS_2-FET电学性能测试 | 第52-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 5 基于MoS_2薄膜材料的传感器 | 第54-57页 |
| 5.1 引言 | 第54页 |
| 5.2 MoS_2透明光敏传感器的制备 | 第54-55页 |
| 5.3 MoS_2透明光敏传感器的性能测试 | 第55-56页 |
| 5.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |