| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-18页 |
| 1.1 晶圆介绍及化学气相沉积的基本原理 | 第7-9页 |
| 1.2 化学气相沉积的分类 | 第9-12页 |
| 1.2.1 常压化学气相沉积法(Atmospheric-pressure CVD，APCVD) | 第9页 |
| 1.2.2 低压化学气相沉积法(Low-pressure CVD，LPCVD) | 第9-10页 |
| 1.2.3 等离子增强化学气相沉积(PECVD) | 第10-11页 |
| 1.2.4 高密度等离子体化学气相沉积(HDP CVD) | 第11-12页 |
| 1.3 CVD 几种介质膜的性质及应用 | 第12-17页 |
| 1.3.1 介质膜的特性 | 第13-15页 |
| 1.3.2 几种主要介质膜的应用 | 第15-17页 |
| 1.4 本文研究的主要内容和方向 | 第17-18页 |
| 第二章 硼磷硅玻璃在半导体制造中的应用及介绍 | 第18-25页 |
| 2.1 硼磷硅玻璃的应用 | 第18-20页 |
| 2.2 BPSG 在生产中应用介绍 | 第20-25页 |
| 2.2.1 制程沉积程式（Process Recipe） | 第20-22页 |
| 2.2.2 清理反应腔程式（Clean Recipe） | 第22-23页 |
| 2.2.3 反应腔闲置净化程式（Idle Purge Recipe） | 第23-25页 |
| 第三章 硼磷硅玻璃在生产中缺陷的产生 | 第25-39页 |
| 3.1 硼磷硅玻璃生产机台简介 | 第25-31页 |
| 3.1.1 传送部分 | 第26-29页 |
| 3.1.2 反应腔 | 第29-31页 |
| 3.2 由于机台原因可能造成的缺陷 | 第31-37页 |
| 3.2.1 传送部分造成缺陷的原因 | 第31-33页 |
| 3.2.2 反应腔部分造成缺陷的原因 | 第33-37页 |
| 3.3 制程原因造成的缺陷 | 第37-39页 |
| 第四章 硼磷硅玻璃产生过程中缺陷的控制 | 第39-49页 |
| 4.1 机台的定期维护与保养 | 第39-43页 |
| 4.1.1 传送部分的维护与保养 | 第39-42页 |
| 4.1.2 反应腔部分的保养与维护 | 第42-43页 |
| 4.2 制程中常见问题的处理方法 | 第43-49页 |
| 4.2.1 生长速率 | 第43-44页 |
| 4.2.2 膜的均匀度 | 第44-45页 |
| 4.2.3 微粒缺陷 | 第45-46页 |
| 4.2.4 硼磷含量问题一些有效控制手段 | 第46-49页 |
| 第五章 结论 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53页 |
