| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| 1.1 石墨烯的晶体结构及基本性质 | 第11-13页 |
| 1.1.1 石墨烯的晶体结构 | 第11-12页 |
| 1.1.2 石墨烯的基本性质 | 第12-13页 |
| 1.2 石墨烯生长的研究进展 | 第13-15页 |
| 1.2.1 石墨烯生长方法的研究进展 | 第13-14页 |
| 1.2.2 Cu 箔上石墨烯 CVD 生长的研究进展 | 第14-15页 |
| 1.3 石墨烯的应用前景 | 第15-16页 |
| 1.4 本文主要工作与安排 | 第16-17页 |
| 第二章 石墨烯 CVD 生长系统和表征方法 | 第17-23页 |
| 2.1 CVD 生长系统 | 第17-18页 |
| 2.2 表征方法 | 第18-22页 |
| 2.2.1 拉曼 (Raman)光谱 | 第18-21页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第21页 |
| 2.2.3 原子力显微镜(AFM) | 第21-22页 |
| 2.2.4 光学显微镜(OM) | 第22页 |
| 2.3 本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 单层石墨烯 CVD 生长工艺与机理研究 | 第23-41页 |
| 3.1 实验方法和样品制备 | 第23-26页 |
| 3.1.1 Cu 箔的准备和预处理 | 第23-24页 |
| 3.1.2 石墨烯 CVD 生长过程 | 第24-25页 |
| 3.1.3 石墨烯转移过程 | 第25-26页 |
| 3.1.4 石墨烯 FET 工艺 | 第26页 |
| 3.2 生长工艺参数对石墨烯的影响 | 第26-38页 |
| 3.2.1 Cu 箔表面预处理的影响 | 第27-30页 |
| 3.2.2 生长温度的影响 | 第30-32页 |
| 3.2.3 退火条件的影响 | 第32-36页 |
| 3.2.4 H_2流量的影响 | 第36-37页 |
| 3.2.5 Ar 流量的影响 | 第37-38页 |
| 3.2.6 优化的生长工艺 | 第38页 |
| 3.3 单层石墨烯薄膜的电学特性分析 | 第38-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 双层石墨烯生长机理的研究 | 第41-61页 |
| 4.1 引言 | 第41页 |
| 4.2 双层石墨烯 CVD 生长模型的提出 | 第41-47页 |
| 4.2.1 生长模型 | 第41-43页 |
| 4.2.2 模型讨论 | 第43-47页 |
| 4.3 双层石墨烯的 Raman 特征 | 第47-49页 |
| 4.4 双层石墨烯生长机理讨论 | 第49-56页 |
| 4.4.1 生长温度对双层石墨烯的影响 | 第49-51页 |
| 4.4.2 CH_4流量对双层石墨烯的影响 | 第51-53页 |
| 4.4.3 Cu 箔表面预处理对双层石墨烯的影响 | 第53-56页 |
| 4.5 新型双层石墨烯生长方法 | 第56-58页 |
| 4.6 本章小结 | 第58-61页 |
| 第五章 结束语 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-73页 |
| 攻读硕士期间研究成果与获奖情况 | 第73-75页 |