| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 SiC衬底外延Ge薄膜研究进展 | 第9-12页 |
| 1.2 Ge衬底上外延石墨烯的研究进展 | 第12-15页 |
| 1.3 SiC基石墨烯/Ge异质结的创新性 | 第15页 |
| 1.4 本论文主要工作内容 | 第15-18页 |
| 2 SiC基Ge外延层的制备及表征分析 | 第18-34页 |
| 2.1 LPCVD原理与设备 | 第18-23页 |
| 2.1.1 LPCVD外延薄膜的生长模式 | 第18-19页 |
| 2.1.2 LPCVD外延薄膜的生长原理 | 第19-21页 |
| 2.1.3 LPCVD装置 | 第21-23页 |
| 2.2 SiC基Ge薄膜制备工艺 | 第23-25页 |
| 2.3 SiC/Ge异质结表征与分析 | 第25-32页 |
| 2.3.1 LSCM测试结果及分析 | 第25-26页 |
| 2.3.2 SEM测试结果及分析 | 第26-28页 |
| 2.3.3 XRD测试结果及分析 | 第28-29页 |
| 2.3.4 TEM测试结果及分析 | 第29-30页 |
| 2.3.5 Raman测试结果及分析 | 第30-32页 |
| 本章小结 | 第32-34页 |
| 3 SiC基石墨烯/Ge异质结的制备及表征分析 | 第34-52页 |
| 3.1 湿法转移石墨烯工艺 | 第35-43页 |
| 3.1.1 Ge薄膜上湿法转移石墨烯薄膜的表征与分析 | 第36-39页 |
| 3.1.2 SiO_2/Si上湿法转移石墨烯薄膜的表征与分析 | 第39-41页 |
| 3.1.3 太阳能电池片上湿法转移石墨烯薄膜的表征与分析 | 第41-43页 |
| 3.2 干法转移石墨烯工艺 | 第43-51页 |
| 3.2.1 Ge薄膜上干法转移石墨烯薄膜的表征与分析 | 第45-47页 |
| 3.2.2 SiO_2/Si上干法转移石墨烯薄膜的表征与分析 | 第47-49页 |
| 3.2.3 太阳能电池片上干法转移石墨烯薄膜的表征与分析 | 第49-51页 |
| 本章小结 | 第51-52页 |
| 4 SiC基石墨烯/Ge异质结光电特性测试与分析 | 第52-60页 |
| 4.1 SiC基石墨烯/Ge异质结光学特性测试及分析 | 第52-53页 |
| 4.2 SiC基石墨烯/Ge异质结的电学特性 | 第53-57页 |
| 4.2.1 欧姆电极的制备原理与工艺 | 第53-55页 |
| 4.2.2 SiC基石墨烯/Ge异质结电学特性测试与分析 | 第55-56页 |
| 4.2.3 石墨烯/太阳能电池电学性能测试与分析 | 第56-57页 |
| 本章小结 | 第57-60页 |
| 5 总结与展望 | 第60-62页 |
| 5.1 总结 | 第60-61页 |
| 5.2 展望 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 在校期间发表论文及获奖情况 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
