当前位置：
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
一般性问题
--
材料
--
一般性问题
液态源雾化化学沉积法制备纳米颗粒镧钛酸铅薄膜
MOCVD法制备氧化锌发光器件及薄膜晶体管的研究
a-Si:H薄膜的MWECR CVD制备及特性研究
金刚石衬底上ZnO薄膜的MOCVD生长及SAW器件的初步研究
锗纳米团簇的金属诱导合成及其微结构与性能特征
用于紫外光电器件高质量AlN模板的MOCVD生长
Ⅲ族氮化物量子点的MOCVD外延生长研究
柔性配置的化学气相沉积反应腔体研究和设计
一种新型氢化物气相外延设备的研究和设计
TiO2半导体薄膜的光催化和气敏性质研究
低温GaN成核层MOCVD生长工艺对GaN外延薄膜影响的研究
Si上MOCVD法制备ZnO薄膜以及n-ZnO/MgO/p-Si异质结器件发光研究
面向低维量子器件的自组装InAs量子点的MOCVD生长及性能研究
SiC衬底上GaN基蓝光LED的MOCVD外延生长研究
纳米多晶Si薄膜的热壁LPCVD淀积与结构特性研究
西门子CVD多晶硅还原炉内传递与反应过程数值模拟研究
退火工艺对CdSe薄膜结晶性能的影响研究
GaSb光阴极发射层MOCVD制备技术研究
GaSb薄膜掺杂及异质结的光学性质研究
MOCVD原位监测系统软件设计
基于DSP的MOCVD原位监测信号采集系统设计
蓝宝石衬底上氧化镓薄膜的生长与退火研究
氧化镓籽晶层的制备及其对外延生长氧化镓薄膜的影响
基于纳米图形衬底的异变外延生长研究
锂掺杂氧化锌薄膜的制备与性能研究
锑化物半导体材料的MOCVD成核及生长特性研究
SnO2薄膜的反应磁控溅射制备工艺、光学性能及多孔微观结构研究
QFN封装电磁屏蔽用化学镀Cu的研究
MOCVD生长氮化镓的KMC微观模拟
PMOCVD的计算流体动力学研究
4H-SiC低压同质外延生长的研究
基于磁控溅射AlN上的GaN材料MOCVD外延生长研究
Ga2O3薄膜的高温MOCVD生长与紫外探测器制备研究
基于氢化物气相外延法氮化镓在石墨烯上的生长机理研究与表征
半导体材料特性的光载流子辐射检测技术研究
Mg2Si/Si异质结的热蒸发制备与性质研究
GaN材料MOCVD生长和位错研究
ZnO基透明导电薄膜的湿化学制备
MOCVD法制备氧化铝薄膜及其阻变特性
CVD法制备石墨烯及其在有机薄膜晶体管中的应用
SiC衬底GaN基材料MOCVD生长及HEMT器件研制
带偏角4H-SiC同质外延生长和拉曼散射研究
磁控溅射和高温氨化两步法制备AlGaN薄膜
Si(111)上AIN薄膜的生长与研究
铟锌共掺及掺氟氧化亚铜的制备与性能的研究
非极性GaN材料的MOCVD生长及表征
GaN-MOCVD垂直喷淋式反应室的优化设计
粉末涂覆法制备CIGS光吸收层及其性能研究
有机半导体薄膜在强磁场下的生长及分子取向研究
光载流子辐射测量的非线性初步分析
上一页
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
下一页
