| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-27页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）技术 | 第9-18页 |
| 1.2.1 MOCVD 简介 | 第9-15页 |
| 1.2.2 GaN 材料的外延生长 | 第15-18页 |
| 1.3 MOCVD 外延层生长的在线监测 | 第18-24页 |
| 1.3.1 在线光致发光监测技术 | 第19-20页 |
| 1.3.2 在线红外辐射测温仪 | 第20-22页 |
| 1.3.3 激光干涉膜厚仪 | 第22-23页 |
| 1.3.4 其他在线监测仪 | 第23-24页 |
| 1.4 本论文的研究内容与行文安排 | 第24-27页 |
| 第二章：InGaN/GaN 多量子阱 LED 外延片生长的在线光致发光研究 | 第27-47页 |
| 2.1 光致发光（PL）的相关理论及原理 | 第27-35页 |
| 2.1.1 半导体材料发光理论 | 第27-29页 |
| 2.1.2 GaN、InGaN 及其多量子阱的能带结构与发光 | 第29-33页 |
| 2.1.3 PL 测量原理及测试系统 | 第33-35页 |
| 2.2 实验内容 | 第35-41页 |
| 2.2.1 在线 PL 谱测量实验介绍 | 第35-36页 |
| 2.2.2 在线 PL 谱测量系统搭建 | 第36-38页 |
| 2.2.3 在线 PL 谱测量过程 | 第38-41页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第41-44页 |
| 2.4 结论 | 第44-47页 |
| 第三章：应用于 MOCVD 反应室的在线红外测温研究 | 第47-75页 |
| 3.1 引言 | 第47-49页 |
| 3.2 红外辐射测温原理 | 第49-57页 |
| 3.2.1 红外辐射规律 | 第49-51页 |
| 3.2.2 几种红外测温方法比较 | 第51-57页 |
| 3.3 应用于 MOCVD 反应室的红外辐射测温仪设计 | 第57-66页 |
| 3.3.1 红外辐射测温仪结构与组成 | 第57-58页 |
| 3.3.2 红外信号的测量及修正 | 第58-60页 |
| 3.3.3 光路设计 | 第60-62页 |
| 3.3.4 校准工具设计 | 第62-66页 |
| 3.4 反应室在 Bake 过程中工艺参数对温度的影响探究 | 第66-72页 |
| 3.4.1 测量系统的搭建与实验设计 | 第67-69页 |
| 3.4.2 实验数据测量与结果讨论 | 第69-72页 |
| 3.5 本章小结 | 第72-75页 |
| 第四章：全文总结与展望 | 第75-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-83页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第83页 |
