InN/InGaN纳米结构的CVD生长研究
摘要 | 第4-5页 |
abstract | 第5页 |
第一章 绪论 | 第8-18页 |
1.1 引言 | 第8页 |
1.2 InN基材料的发展过程以及研究意义 | 第8-10页 |
1.2.1 InN材料的发展过程 | 第8-9页 |
1.2.2 InGaN材料的发展过程 | 第9-10页 |
1.3 InN基材料的性质及应用 | 第10-12页 |
1.3.1 InN材料的基本性质 | 第10-11页 |
1.3.2 InN材料的电学性质和光学性质 | 第11页 |
1.3.3 InGaN材料的基本特性 | 第11-12页 |
1.4 纳米材料生长方法的介绍 | 第12-14页 |
1.4.1 化学气相沉积法 | 第12-13页 |
1.4.2 金属有机化学气相沉积法 | 第13页 |
1.4.3 分子束外延法 | 第13-14页 |
1.5 纳米材料常用的表征手段 | 第14-17页 |
1.5.1 透射电子显微镜 | 第14页 |
1.5.2 场发射扫描电子显微镜 | 第14-15页 |
1.5.3 X射线衍射仪 | 第15页 |
1.5.4 拉曼光谱仪 | 第15-16页 |
1.5.5 X射线显微分析 | 第16-17页 |
1.6 本文主要研究内容及安排 | 第17-18页 |
第二章 计算流体动力学与CFD相关软件应用 | 第18-24页 |
2.1 计算流体动力学基本知识 | 第18-21页 |
2.1.1 CFD的基本思想 | 第18-19页 |
2.1.2 流体动力学的控制方程 | 第19-20页 |
2.1.3 数值求解方法 | 第20-21页 |
2.2 CFD软件包介绍和设计步骤 | 第21-22页 |
2.2.1 CFD软件的结构 | 第21-22页 |
2.2.2 CFD求解流体力学问题的步骤 | 第22页 |
2.3 关于湍流和层流的设置 | 第22-23页 |
2.3.1 湍流运动的定义及适用场合 | 第22-23页 |
2.3.2 判断湍流的标准以及湍流强度 | 第23页 |
2.4 本章总结 | 第23-24页 |
第三章 三维CVD反应腔体的数值模拟 | 第24-41页 |
3.1 CVD制备腔体的三维模型建立 | 第24-26页 |
3.2 原料气比例对GaN生长的影响 | 第26-29页 |
3.2.1 模拟边界条件 | 第26页 |
3.2.2 仿真思路 | 第26-27页 |
3.2.3 结果分析 | 第27-29页 |
3.3 氨气流量对GaN生长的影响 | 第29-35页 |
3.3.1 模拟边界条件 | 第29页 |
3.3.2 仿真思路 | 第29-30页 |
3.3.3 结果分析 | 第30-35页 |
3.4 衬底位置对GaN生长的影响 | 第35-40页 |
3.4.1 模拟边界条件 | 第35页 |
3.4.2 仿真思路 | 第35-36页 |
3.4.3 结果分析 | 第36-40页 |
3.5 本章总结 | 第40-41页 |
第四章 InN的CVD生长实验及研究 | 第41-48页 |
4.1 InN纳米材料的CVD生长实验过程 | 第41页 |
4.2 不同催化剂对InN纳米结构生长的影响 | 第41-45页 |
4.2.1 实验过程 | 第41页 |
4.2.2 实验样品的SEM表征分析 | 第41-42页 |
4.2.3 实验样品的TEM表征分析 | 第42-43页 |
4.2.4 实验样品的XRD图表征分析 | 第43-44页 |
4.2.5 实验样品的拉曼光谱表征分析 | 第44-45页 |
4.2.6 实验小结 | 第45页 |
4.3 氨气流量对InN纳米结构生长的影响 | 第45-47页 |
4.3.1 实验过程 | 第45-46页 |
4.3.2 实验样品的SEM表征分析 | 第46页 |
4.3.3 实验小结 | 第46-47页 |
4.4 本章总结 | 第47-48页 |
第五章 InGaN的CVD生长实验及研究 | 第48-55页 |
5.1 InGaN生长技术的发展难点 | 第48页 |
5.2 InGaN纳米材料特性研究 | 第48-49页 |
5.3 InGaN实验生长研究 | 第49-54页 |
5.3.1 实验过程 | 第49-50页 |
5.3.2 实验样品的EDS分析 | 第50-51页 |
5.3.3 实验样品的XRD图分析 | 第51-53页 |
5.3.4 实验样品的拉曼光谱分析 | 第53-54页 |
5.4 本章总结 | 第54-55页 |
第六章 总结与展望 | 第55-57页 |
参考文献 | 第57-61页 |
附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第61-62页 |
致谢 | 第62页 |