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InN/InGaN纳米结构的CVD生长研究

摘要第4-5页
abstract第5页
第一章 绪论第8-18页
    1.1 引言第8页
    1.2 InN基材料的发展过程以及研究意义第8-10页
        1.2.1 InN材料的发展过程第8-9页
        1.2.2 InGaN材料的发展过程第9-10页
    1.3 InN基材料的性质及应用第10-12页
        1.3.1 InN材料的基本性质第10-11页
        1.3.2 InN材料的电学性质和光学性质第11页
        1.3.3 InGaN材料的基本特性第11-12页
    1.4 纳米材料生长方法的介绍第12-14页
        1.4.1 化学气相沉积法第12-13页
        1.4.2 金属有机化学气相沉积法第13页
        1.4.3 分子束外延法第13-14页
    1.5 纳米材料常用的表征手段第14-17页
        1.5.1 透射电子显微镜第14页
        1.5.2 场发射扫描电子显微镜第14-15页
        1.5.3 X射线衍射仪第15页
        1.5.4 拉曼光谱仪第15-16页
        1.5.5 X射线显微分析第16-17页
    1.6 本文主要研究内容及安排第17-18页
第二章 计算流体动力学与CFD相关软件应用第18-24页
    2.1 计算流体动力学基本知识第18-21页
        2.1.1 CFD的基本思想第18-19页
        2.1.2 流体动力学的控制方程第19-20页
        2.1.3 数值求解方法第20-21页
    2.2 CFD软件包介绍和设计步骤第21-22页
        2.2.1 CFD软件的结构第21-22页
        2.2.2 CFD求解流体力学问题的步骤第22页
    2.3 关于湍流和层流的设置第22-23页
        2.3.1 湍流运动的定义及适用场合第22-23页
        2.3.2 判断湍流的标准以及湍流强度第23页
    2.4 本章总结第23-24页
第三章 三维CVD反应腔体的数值模拟第24-41页
    3.1 CVD制备腔体的三维模型建立第24-26页
    3.2 原料气比例对GaN生长的影响第26-29页
        3.2.1 模拟边界条件第26页
        3.2.2 仿真思路第26-27页
        3.2.3 结果分析第27-29页
    3.3 氨气流量对GaN生长的影响第29-35页
        3.3.1 模拟边界条件第29页
        3.3.2 仿真思路第29-30页
        3.3.3 结果分析第30-35页
    3.4 衬底位置对GaN生长的影响第35-40页
        3.4.1 模拟边界条件第35页
        3.4.2 仿真思路第35-36页
        3.4.3 结果分析第36-40页
    3.5 本章总结第40-41页
第四章 InN的CVD生长实验及研究第41-48页
    4.1 InN纳米材料的CVD生长实验过程第41页
    4.2 不同催化剂对InN纳米结构生长的影响第41-45页
        4.2.1 实验过程第41页
        4.2.2 实验样品的SEM表征分析第41-42页
        4.2.3 实验样品的TEM表征分析第42-43页
        4.2.4 实验样品的XRD图表征分析第43-44页
        4.2.5 实验样品的拉曼光谱表征分析第44-45页
        4.2.6 实验小结第45页
    4.3 氨气流量对InN纳米结构生长的影响第45-47页
        4.3.1 实验过程第45-46页
        4.3.2 实验样品的SEM表征分析第46页
        4.3.3 实验小结第46-47页
    4.4 本章总结第47-48页
第五章 InGaN的CVD生长实验及研究第48-55页
    5.1 InGaN生长技术的发展难点第48页
    5.2 InGaN纳米材料特性研究第48-49页
    5.3 InGaN实验生长研究第49-54页
        5.3.1 实验过程第49-50页
        5.3.2 实验样品的EDS分析第50-51页
        5.3.3 实验样品的XRD图分析第51-53页
        5.3.4 实验样品的拉曼光谱分析第53-54页
    5.4 本章总结第54-55页
第六章 总结与展望第55-57页
参考文献第57-61页
附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文第61-62页
致谢第62页

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