| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 1 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 GaN 基本结构与性质 | 第11-15页 |
| 1.2 GaN 材料与器件 | 第15-17页 |
| 1.2.1 GaN 材料与器件的研究进展 | 第15-16页 |
| 1.2.2 硅基 GaN 材料与器件 | 第16-17页 |
| 1.3 GaN/Si-NPA 器件的光电性能研究 | 第17-19页 |
| 1.3.1 Si-NPA 的制备与性能 | 第17-18页 |
| 1.3.2 GaN/Si-NPA 的光电特性 | 第18-19页 |
| 1.3.3 催化剂的选择 | 第19页 |
| 1.4 选题依据与研究内容 | 第19-21页 |
| 2 GaN/Si-NPA 制备与表征 | 第21-38页 |
| 2.1 Pt/Si-NPA 的制备 | 第21-24页 |
| 2.1.1 Pt/Si-NPA 的表面形貌与结构 | 第22-23页 |
| 2.1.2 退火对 Pt/Si-NPA 的表面形貌的影响 | 第23-24页 |
| 2.2 GaN/Si-NPA 制备 | 第24-36页 |
| 2.2.1 沉积 Pt 时间对 GaN 表面形貌与结构的影响 | 第27-30页 |
| 2.2.2 生长温度对 GaN 表面形貌与结构的影响 | 第30-32页 |
| 2.2.3 氨气压强对 GaN 表面形貌与结构的影响 | 第32-34页 |
| 2.2.4 退火对 GaN 表面形貌与结构的影响 | 第34-36页 |
| 2.3 本章小结 | 第36-38页 |
| 3 GaN/Si-NPA 的光电特性研究 | 第38-65页 |
| 3.1 GaN/Si-NPA 的积分光反射特性 | 第39-41页 |
| 3.1.1 沉积 Pt 时间对 GaN/Si-NPA 的积分光反射的影响 | 第39-40页 |
| 3.1.2 生长温度对 GaN/Si-NPA 的积分光反射的影响 | 第40-41页 |
| 3.1.3 氨气压强对 GaN/Si-NPA 的积分光反射的影响 | 第41页 |
| 3.2 GaN/Si-NPA 的光致发光特性 | 第41-44页 |
| 3.2.1 沉积 Pt 时间对 GaN/Si-NPA 光致发光的影响 | 第42-43页 |
| 3.2.2 生长温度对 GaN/Si-NPA 光致发光的影响 | 第43-44页 |
| 3.2.3 氨气压强对 GaN/Si-NPA 光致发光的影响 | 第44页 |
| 3.3 GaN/Si-NPA 伏安特性 | 第44-56页 |
| 3.3.1 电极的制备 | 第45-47页 |
| 3.3.2 GaN/Si-NPA 伏安特性 | 第47-56页 |
| 3.4 GaN/Si-NPA 的电致发光特性 | 第56-62页 |
| 3.4.1 沉积 Pt 时间对 GaN/Si-NPA 电致发光的影响 | 第56-57页 |
| 3.4.2 生长温度对 GaN/Si-NPA 电致发光的影响 | 第57-59页 |
| 3.4.3 氨气压强对 GaN/Si-NPA 电致发光的影响 | 第59-62页 |
| 3.5 本章小结 | 第62-65页 |
| 4 结论和展望 | 第65-68页 |
| 参考文献 | 第68-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
