| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| 1.1 研究的意义 | 第7-8页 |
| 1.2 SiGe 技术的研究现状和应用前景 | 第8-12页 |
| 1.2.1 国外的研究与应用 | 第9-11页 |
| 1.2.2 国内的研究应用 | 第11-12页 |
| 1.3 本论文的主要研究内容 | 第12-13页 |
| 第二章 Si_(1-x)Ge_x材料的 CVD 生长机理与生长模拟方法 | 第13-21页 |
| 2.1 薄膜的生长机理 | 第13-16页 |
| 2.1.1 吸附 | 第13-15页 |
| 2.1.2 原子的扩散 | 第15-16页 |
| 2.1.3 临界岛 | 第16页 |
| 2.2 薄膜生长的模拟研究方法 | 第16-19页 |
| 2.2.1 分子动力学方法 | 第16-17页 |
| 2.2.2 第一性原理分子动力学 | 第17-18页 |
| 2.2.3 蒙特卡罗模型方法 | 第18-19页 |
| 2.3 本章小结 | 第19-21页 |
| 第三章 Si_(1-x)Ge_x材料的表面反应特性研究 | 第21-33页 |
| 3.1 H 原子的脱附机制 | 第21-24页 |
| 3.1.1 预配对机制 | 第21-22页 |
| 3.1.2 交互二聚体机制 | 第22-24页 |
| 3.1.3 预配对机制和交互二聚体机制的对比 | 第24页 |
| 3.2 边界层理论 | 第24-27页 |
| 3.3 反应速率理论 | 第27-31页 |
| 3.3.1 有效碰撞理论 | 第27-29页 |
| 3.3.2 过渡态理论 | 第29-31页 |
| 3.4 本章小结 | 第31-33页 |
| 第四章 Si_(1-x)Ge_x材料 CVD 生长动力学速率模型研究 | 第33-45页 |
| 4.1 二聚体理论 | 第33-37页 |
| 4.1.1 Ge 组分对材料生长的影响 | 第33-35页 |
| 4.1.2 SiH_4与 GeH_4的表面微观分解 | 第35-36页 |
| 4.1.3 SiH_4与 GeH_4的表面反应活性 | 第36-37页 |
| 4.2 Si_(1-x)Ge_x材料生长的控制机制 | 第37-41页 |
| 4.2.1 菲克定律 | 第37-39页 |
| 4.2.2 Grove 理论 | 第39-41页 |
| 4.3 Si_(1-x)Ge_x合金的 CVD 生长速率模型 | 第41-44页 |
| 4.3.1 分速度机理 | 第41-42页 |
| 4.3.2 分立流密度机制 | 第42-43页 |
| 4.3.3 CVD 生长速率模型 | 第43-44页 |
| 4.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 模型验证 | 第45-55页 |
| 5.1 Si_(1-x)Ge_x合金的 RPCVD 生长实验 | 第45-46页 |
| 5.2 模型参数的确定 | 第46-47页 |
| 5.2.1 活化能 Ea 与反应速率常数 ks | 第46-47页 |
| 5.2.2 气体分子总数 CT | 第47页 |
| 5.3 实验验证与对比 | 第47-53页 |
| 5.3.1 实验结果验证 | 第47-50页 |
| 5.3.2 实验对比 | 第50-53页 |
| 5.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 第六章 总结与展望 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 攻读硕士研究生期间的研究成果 | 第65-66页 |
