| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 1. 绪论 | 第8-12页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 国内外硅量子点研究的发展进程 | 第8-11页 |
| 1.3 本课题的研究目的与意义 | 第11-12页 |
| 2. 硅量子点的基本理论与制备表征 | 第12-26页 |
| 2.1 量子点的特性与优势 | 第12-13页 |
| 2.2 硅量子点的制备方法 | 第13-19页 |
| 2.3 硅量子点的表征手段 | 第19-26页 |
| 3. 硅量子点的制备 | 第26-33页 |
| 3.1 硅量子点母体基质的选择 | 第26-28页 |
| 3.2 富硅碳化硅薄膜的制备 | 第28-30页 |
| 3.3 高温退火处理 | 第30-33页 |
| 4. 硅量子点的生长机制与发光特性分析 | 第33-43页 |
| 4.1 硅量子点的化学键分析 | 第33-35页 |
| 4.2 硅量子点的结晶状况分析 | 第35-39页 |
| 4.3 硅量子点的外观形貌 | 第39-40页 |
| 4.4 硅量子点的发光特性分析 | 第40-43页 |
| 5. 总结与展望 | 第43-45页 |
| 致谢 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-51页 |
| 附录 1 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第51-52页 |
| 附录 2 攻读硕士学位期间申请的专利及获奖 | 第52页 |