MOCVD反应室感应加热装置的研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 MOCVD设备概述 | 第9-11页 |
| 1.2 MOCVD国内外研究现状 | 第11-14页 |
| 1.2.1 国外设备MOCVD发展及现状 | 第11-13页 |
| 1.2.2 国内设备MOCVD发展及现状 | 第13-14页 |
| 1.3 MOCVD加热系统概述 | 第14-16页 |
| 1.4 研究目的和意义 | 第16-17页 |
| 1.5 本文研究工作及结构安排 | 第17-19页 |
| 1.5.1 本文研究工作 | 第17页 |
| 1.5.2 本文结构安排 | 第17-19页 |
| 第2章 感应加热装置的建模 | 第19-33页 |
| 2.1 感应加热原理 | 第19-22页 |
| 2.1.1 电磁感应 | 第19-20页 |
| 2.1.2 集肤效应 | 第20-22页 |
| 2.2 感应加热的控制方程 | 第22-24页 |
| 2.2.1 磁场控制方程 | 第22-24页 |
| 2.2.2 热传递方程 | 第24页 |
| 2.3 感应加热的边界条件 | 第24-26页 |
| 2.3.1 电磁边界条件 | 第24-25页 |
| 2.3.2 热边界条件 | 第25-26页 |
| 2.4 感应加热的仿真软件 | 第26-32页 |
| 2.4.1 有限元法简介 | 第26-27页 |
| 2.4.2 有限元分析软件 | 第27-28页 |
| 2.4.3 软件应用过程 | 第28-31页 |
| 2.4.4 ANSYS参数化设计语言 | 第31-32页 |
| 2.5 本章小结 | 第32-33页 |
| 第3章 电参数对感应加热装置的影响 | 第33-48页 |
| 3.1 感应加热的ANSYS模型和仿真 | 第33-37页 |
| 3.2 电流大小对感应加热装置的影响 | 第37-40页 |
| 3.2.1 电流大小对磁场分布的影响 | 第37-38页 |
| 3.2.2 电流大小对感应焦耳热的影响 | 第38-39页 |
| 3.2.3 电流大小对温度场的影响 | 第39-40页 |
| 3.3 电流频率对感应加热装置的影响 | 第40-45页 |
| 3.3.1 电流频率对磁场分布的影响 | 第40-42页 |
| 3.3.2 电流频率对感应焦耳热的影响 | 第42-44页 |
| 3.3.3 电流频率对温度场的影响 | 第44-45页 |
| 3.4 同功率下电参数对感应加热装置的影响 | 第45-46页 |
| 3.5 本章小结 | 第46-48页 |
| 第4章 结构参数对感应加热装置的影响 | 第48-68页 |
| 4.1 线圈匝数对感应加热的影响 | 第48-52页 |
| 4.1.1 线圈匝数对磁场的影响 | 第48-49页 |
| 4.1.2 线圈匝数对感应焦耳热的影响 | 第49-50页 |
| 4.1.3 线圈匝数对温度场分布的影响 | 第50-52页 |
| 4.2 线圈形状对感应加热的影响 | 第52-55页 |
| 4.2.1 线圈形状对磁场的影响 | 第53页 |
| 4.2.2 线圈形状对感应焦耳热的影响 | 第53-54页 |
| 4.2.3 线圈形状对温度场分布的影响 | 第54-55页 |
| 4.3 线圈厚度对感应加热的影响 | 第55-58页 |
| 4.3.1 线圈厚度对磁场的影响 | 第56页 |
| 4.3.2 线圈厚度对焦耳热的影响 | 第56-57页 |
| 4.3.3 线圈厚度对温度场分布的影响 | 第57-58页 |
| 4.4 线圈相对位置对感应加热的影响 | 第58-65页 |
| 4.4.1 线圈间距对温度场的影响 | 第58-59页 |
| 4.4.2 线圈与石墨垂直间距对温度场的影响 | 第59-62页 |
| 4.4.3 线圈相对水平位置对温度场的影响 | 第62-65页 |
| 4.5 石墨厚度对温度场的影响 | 第65-67页 |
| 4.6 本章小结 | 第67-68页 |
| 第5章 感应加热装置的优化及样机实验 | 第68-77页 |
| 5.1 感应加热样机设备简介 | 第68-69页 |
| 5.2 感应加热装置优化方案一 | 第69-73页 |
| 5.3 感应加热装置优化方案二 | 第73-76页 |
| 5.4 本章小结 | 第76-77页 |
| 第6章 总结与展望 | 第77-79页 |
| 6.1 总结 | 第77-78页 |
| 6.2 展望 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-82页 |
