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一般性问题
MOCVD方法制备氮化锌薄膜及其性质研究
多晶硅CVD反应器中新型热管传热性能研究
适用于有机半导体薄膜器件制备的原位实时测量技术研究
基于氧化物衬底的CdTe单晶薄膜的分子束外延制备及外延机制
极性可控的GaN与ZnO薄膜的MOCVD外延生长及其组合发光器件研究
nc-Si:H薄膜的制备及光学特性研究
高质量ZnO薄膜的MOCVD外延生长与原位掺杂
氢化物气相外延生长GaN的数值模拟
氧化镁衬底铝铟氧化物薄膜的制备及特性研究
PECVD制备a-Si:H(nc-Si:H)/a-SiC:H多层薄膜的光电特性研究
BiTe3低维结构的热壁外延生长及其激光热效应
PECVD法制备SiO2增透减反涂层的研究
适用于高频SAW器件高品质AlN薄膜研究与表征
非均匀铁磁性半导体薄膜/单晶硅异质结构的电输运特性
SiC衬底上GaN薄膜和LED的制备与研究
自支撑金刚石衬底上GaN、AIN薄膜ECR-PEMOCVD法生长研究
氧化钒薄膜制备工艺及其相变特性研究
氧化钒薄膜的快速热氧化法制备工艺与相变特性研究
硅基GaN欧姆接触及紫外探测器的研究
薄硅外延片的生长及高频肖特基二极管的研制
锑化物自组织量子点的MOCVD制备研究及热光伏器件结构模拟
4H-SiC同质外延生长及器件研究
氧化锡及其锑掺杂薄膜的制备、结构和光致发光性质研究
MgZnO薄膜的制备及特性研究
有机半导体材料的自组装及其理论研究
多酸/半导体复合膜的制备及其光电性能研究
NixMg1-xO薄膜的制备技术研究
锑化物的外延生长及其物性研究
Beta-氧化镓异质外延薄膜的制备及特性研究
半导体薄膜的制备及其光催化和光电性能研究
GaN上外延GaN的生长界面及其处理方法研究
化学气相淀积石墨烯在不同衬底上的表征以及多层石墨烯在有机太阳能电池中的应用
基于3C-SiC外延生长石墨烯的方法与侧栅石墨烯晶体管模拟的研究
PMOCVD生长InAIN的计算流体动力学模拟研究
Ⅲ族化合物半导体薄膜的制备及气敏性能研究
化学气相沉积法制备氟掺杂氧化锡薄膜及其性能研究
P-MBE法生长ZnMgO合金薄膜及其异质结构的性能研究
非极性ZnO基薄膜制备及Na掺杂和ZnMgO/ZnO多量子阱研究
ZnOS合金薄膜及S-N共掺杂p型ZnO薄膜的结构与光电性能研究
MOCVD温度监测与均匀性研究
ZnOSe合金薄膜的制备及p型掺杂研究
H、F掺杂ZnO透明导电薄膜的制备及其性能研究
MOCVD技术制备的BZO薄膜及其在太阳电池中的应用
A1N基稀磁半导体薄膜的生长及磁性研究
应用于MIM-FEA的薄膜制备及其表征技术
基于PN结的TiO2氧气传感器制备研究
铝掺杂氧化锌及其与氮化镓薄膜肖特基接触和欧姆接触性质研究
Ⅲ族氮化物半导体外延层薄膜的生长与表征研究
纳米二氧化钛亲水性及纳米银二氧化钛复合膜光催化性能研究
Sn、Al共掺杂ZnO薄膜的制备及其性能研究
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