碲系化合物半导体靶材制备及镀膜性能表征
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 前言 | 第10页 |
| 1.2 相变存储技术 | 第10-13页 |
| 1.3 非晶态半导体材料 | 第13-19页 |
| 1.3.1 阈值开关材料 | 第14-16页 |
| 1.3.2 记忆开关材料 | 第16-19页 |
| 1.4 TeAsGeSi材料体系 | 第19-20页 |
| 1.5 靶材制备及致密化理论 | 第20-22页 |
| 1.5.1 靶材制备 | 第20-21页 |
| 1.5.2 热压靶材致密化 | 第21-22页 |
| 1.6 本课题研究目的及意义 | 第22-23页 |
| 2 实验部分 | 第23-29页 |
| 2.1 实验设备及仪器 | 第23页 |
| 2.2 实验内容及方法 | 第23-27页 |
| 2.3 检测方法 | 第27-29页 |
| 3 合金粉体选择对靶材性能影响 | 第29-38页 |
| 3.1 原料粉体选择及研究 | 第29-32页 |
| 3.1.1 粉体粒度及成分分析 | 第29-30页 |
| 3.1.2 粉体物相及差热分析 | 第30-32页 |
| 3.2 不同原料粉体制备靶材性能检测 | 第32-37页 |
| 3.2.1 靶材基本性质表征 | 第33-36页 |
| 3.2.2 靶材物相检测及与粉体比较分析 | 第36-37页 |
| 3.3 小结 | 第37-38页 |
| 4 热压工艺对靶材性能影响 | 第38-44页 |
| 4.1 保温保压保压时间对靶材性能影响 | 第38-39页 |
| 4.2 烧结致密化研究 | 第39-43页 |
| 4.3 小结 | 第43-44页 |
| 5 薄膜性能研究 | 第44-52页 |
| 5.1 薄膜基本性能 | 第44-46页 |
| 5.1.1 镀膜工艺研究 | 第44-46页 |
| 5.1.2 薄膜成分分析 | 第46页 |
| 5.2 薄膜热处理 | 第46-50页 |
| 5.2.1 热处理薄膜形貌及物相 | 第46-49页 |
| 5.2.2 热处理薄膜电阻率 | 第49-50页 |
| 5.3 薄膜电流-电压测试 | 第50-51页 |
| 5.4 小结 | 第51-52页 |
| 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-58页 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
