| 摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 符号说明 | 第12-13页 |
| 第一章 引言 | 第13-20页 |
| 1.1 半导体材料概述 | 第13页 |
| 1.2 Ⅲ-Ⅴ族氮化物薄膜概述 | 第13-15页 |
| 1.2.1 结构性质 | 第14页 |
| 1.2.2 化学、电学性质 | 第14-15页 |
| 1.3 AlN薄膜的性质 | 第15-16页 |
| 1.3.1 结构性质 | 第15-16页 |
| 1.3.2 AlN的物理、化学及电学性质 | 第16页 |
| 1.4 AlInN薄膜的性质 | 第16-17页 |
| 1.4.1 结构性质 | 第16-17页 |
| 1.4.2 AlInN的物理、化学及电学性质 | 第17页 |
| 1.5 AlN和AlInN薄膜的研究进展 | 第17-18页 |
| 1.6 AlN和AlInN薄膜的生长难点 | 第18-19页 |
| 1.7 本论文的研究内容及安排 | 第19-20页 |
| 第二章 AlN和Al_(1-x)In_xN薄膜的制备方法及表征方法 | 第20-29页 |
| 2.1 AlN和Al_(1-x)In_xN薄膜的制备方法 | 第20-25页 |
| 2.1.1 真空蒸发镀膜法 | 第20-21页 |
| 2.1.2 分子束外延 | 第21页 |
| 2.1.3 化学气相沉积 | 第21-22页 |
| 2.1.4 等离子体增强金属有机化学气相沉积 | 第22-23页 |
| 2.1.5 溅射镀膜 | 第23-24页 |
| 2.1.6 脉冲激光沉积 | 第24-25页 |
| 2.2 AlN和Al_(1-x)In_xN薄膜性质的表征方法 | 第25-29页 |
| 2.2.1 晶体结构测试分析 | 第25-26页 |
| 2.2.2 晶体成分测试分析 | 第26-27页 |
| 2.2.3 薄膜表面形貌测试分析 | 第27-28页 |
| 2.2.4 薄膜光学性质的测试分析 | 第28-29页 |
| 第三章 PEMOCVD和磁控溅射的原理和实验过程 | 第29-33页 |
| 3.1 PEMOCVD系统原理 | 第29-30页 |
| 3.2 磁控溅射系统 | 第30-33页 |
| 3.2.1 薄膜的制备 | 第31-33页 |
| 第四章 PEMOCVD法制备AlN薄膜的研究 | 第33-46页 |
| 4.1 生长温度对AlN薄膜性质的影响 | 第33-39页 |
| 4.2 Ⅴ/Ⅲ族流量比对AlN薄膜性质的影响 | 第39-46页 |
| 第五章 磁控溅射法制备Al_(1-x)In_xN薄膜的研究 | 第46-75页 |
| 5.1 生长温度对Al_(1-x)In_xN薄膜性质的影响 | 第46-57页 |
| 5.1.1 生长温度对Al_(1-x)In_xN薄膜结构性质的影响 | 第47-48页 |
| 5.1.2 生长温度对Al_(1-x)In_xN薄膜表面形貌的影响 | 第48-51页 |
| 5.1.3 生长温度对Al_(1-x)In_xN薄膜组分的影响 | 第51-54页 |
| 5.1.4 生长温度对Al_(1-x)In_xN薄膜光学性质的影响 | 第54-57页 |
| 5.2 反应室压强对Al_(1-x)In_xN薄膜性质的影响 | 第57-69页 |
| 5.2.1 反应室压强对Al_(1-x)In_xN薄膜结构性质的影响 | 第58-60页 |
| 5.2.2 反应室压强对Al_(1-x)In_xN薄膜表面形貌的影响 | 第60-62页 |
| 5.2.3 反应室压强对Al_(1-x)In_xN薄膜组分的影响 | 第62-65页 |
| 5.2.4 反应室压强对Al_(1-x)In_xN薄膜光学性质的影响 | 第65-69页 |
| 5.3 N_2和Ar流量对Al_(1-x)In_xN薄膜性质的影响 | 第69-75页 |
| 5.3.1 N_2和Ar流量对Al_(1-x)In_xN薄膜结构性质的影响 | 第69-70页 |
| 5.3.2 N_2和Ar流量对Al_(1-x)In_xN薄膜表面形貌的影响 | 第70-71页 |
| 5.3.3 N_2和Ar流量对Al_(1-x)In_xN薄膜组分的影响 | 第71-73页 |
| 5.3.4 N_2和Ar流量对Al_(1-x)In_xN薄膜光学性质的影响 | 第73-75页 |
| 第六章 结论 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-79页 |
| 致谢 | 第79-81页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第81页 |
