首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--材料论文--一般性问题论文

分子束外延InGaN合金及其光电导行为研究

摘要第4-5页
ABSTRACT第5-6页
主要符号表第14-15页
1 绪论第15-38页
    1.1 氮化物的基本物理性质第16-24页
    1.2 氮化物的应用前景第24-31页
    1.3 国内外研究进展第31-35页
    1.4 本文主要研究思路第35-38页
2 分子束外延及表征技术第38-60页
    2.1 分子束外延系统第38-45页
    2.2 氮化物的分子束外延原理第45-50页
    2.3 测试表征技术第50-60页
3 InGaN的分子束外延生长第60-75页
    3.1 引言第60-61页
    3.2 InGaN分子束外延生长原理第61-62页
    3.3 InGaN薄膜的分子束外延生长第62-74页
    3.4 本章小结第74-75页
4 InGaN薄膜的液滴诱导外延第75-89页
    4.1 引言第75页
    4.2 InGaN薄膜的液滴诱导外延原理第75-83页
    4.3 InGaN表面微结构的RDS分析第83-88页
    4.4 本章小结第88-89页
5 光照下InGaN薄膜的输运性质第89-102页
    5.1 引言第89页
    5.2 氮化物薄膜的光电导特性第89-94页
    5.3 InGaN材料的光电导特性第94-100页
    5.4 本章小结第100-102页
6 结论与展望第102-104页
    6.1 结论第102-103页
    6.2 创新点第103页
    6.3 展望第103-104页
参考文献第104-115页
攻读博士学位期间科研项目及科研成果第115-118页
致谢第118-121页
作者简介第121页

论文共121页,点击 下载论文
上一篇:喷泉码技术及其在无线通信系统中的应用研究
下一篇:静息态BOLD信号的振荡频率特性及临床应用研究