| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第12-26页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第12页 |
| 1.2 Si基Ge材料外延生长研究进展 | 第12-16页 |
| 1.3 Si基Ge波导探测器的研究进展 | 第16-18页 |
| 1.4 本论文主要工作和结构安排 | 第18-19页 |
| 参考文献 | 第19-26页 |
| 第二章 Si基Ge材料外延生长系统及表征方法 | 第26-34页 |
| 2.1 超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)系统 | 第26-27页 |
| 2.2 Si基Ge材料表征方法 | 第27-32页 |
| 参考文献 | 第32-34页 |
| 第三章 Si基图形化衬底Ge薄膜的有限元分析及生长 | 第34-56页 |
| 3.1 图形化Si基Ge薄膜应变的有限元分析 | 第34-40页 |
| 3.1.1 有限元模型的建立 | 第35-37页 |
| 3.1.2 模拟结果与讨论 | 第37-40页 |
| 3.2 Si图形衬底的制备 | 第40-47页 |
| 3.2.1 Si的湿法腐蚀 | 第40-44页 |
| 3.2.2 Si的干法刻蚀 | 第44-47页 |
| 3.3 Si基图形衬底Ge材料的生长 | 第47-52页 |
| 3.4 本章小结 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 第四章 硅基Ge波导探测器的制备和性能测试 | 第56-74页 |
| 4.1 Ge波导型探测器的光学模拟 | 第56-60页 |
| 4.2 Si基Ge波导型探测器的制备工艺研究 | 第60-66页 |
| 4.2.1 SOI基Ge外延材料表征 | 第60-62页 |
| 4.2.2 Si基Ge波导型探测器的器件制备 | 第62-66页 |
| 4.3 Ge波导型探测器的性能测试 | 第66-70页 |
| 4.3.1 接触电阻测试 | 第66-68页 |
| 4.3.2 暗电流特性分析 | 第68-70页 |
| 4.3.3 响应度分析 | 第70页 |
| 4.4 本章小结 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-74页 |
| 第五章 总结与展望 | 第74-76页 |
| 附录 硕士期间论文发表及获奖情况 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |