| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-20页 |
| 1.1 氮化硅薄膜的概述 | 第11-14页 |
| 1.2 氮化硅薄膜的国内外研究动态 | 第14-17页 |
| 1.2.1 国外研究动态 | 第14-15页 |
| 1.2.2 国内研究动态 | 第15-17页 |
| 1.3 研究意义 | 第17-18页 |
| 1.4 本论文的主要研究工作 | 第18页 |
| 1.5 本论文的结构安排 | 第18-20页 |
| 第二章 氮化硅薄膜制备技术 | 第20-28页 |
| 2.1 等离子体 | 第20-23页 |
| 2.1.1 等离子体的种类 | 第20-22页 |
| 2.1.1.1 电容耦合性等离子体 | 第20-21页 |
| 2.1.1.2 感应耦合型等离子体和电子回旋共振型等离子体 | 第21-22页 |
| 2.1.1.3 微波等离子体 | 第22页 |
| 2.1.2 等离子体的温度 | 第22-23页 |
| 2.2 薄膜沉积理论 | 第23-24页 |
| 2.3 氮化硅薄膜制备技术 | 第24-27页 |
| 2.3.1 物理气相沉积(PVD) | 第24-25页 |
| 2.3.1.1 离子束沉积法(IBED) | 第24页 |
| 2.3.1.2 磁控反应溅射法 | 第24-25页 |
| 2.3.2 化学气相沉积(CVD) | 第25-27页 |
| 2.3.2.1 高温热化学气相沉积(HTCVD) | 第25页 |
| 2.3.2.2 常压化学气相沉积(APCVD) | 第25页 |
| 2.3.2.3 低压化学气相沉积法(LPCVD) | 第25页 |
| 2.3.2.4 等离子体化学气相沉积法(PECVD) | 第25-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 PECVD工艺参数实验及结果 | 第28-48页 |
| 3.1 PECVD设备及工艺 | 第28-33页 |
| 3.1.1 PECVD设备介绍 | 第28-29页 |
| 3.1.2 PECVD设备操作规程 | 第29-31页 |
| 3.1.3 PECVD工艺控制 | 第31-33页 |
| 3.2 影响PECVD工艺的主要因素 | 第33-35页 |
| 3.2.1 腔室压力 | 第33-34页 |
| 3.2.2 射频功率 | 第34页 |
| 3.2.3 气体流量配比 | 第34-35页 |
| 3.2.4 淀积温度 | 第35页 |
| 3.3 PECVD工艺参数对薄膜性能的影响 | 第35-39页 |
| 3.3.1 腔室压力 | 第35-36页 |
| 3.3.2 射频功率对膜层的影响 | 第36-37页 |
| 3.3.3 气体比例对膜层的影响 | 第37-38页 |
| 3.3.4 淀积时间对膜层的影响 | 第38页 |
| 3.3.5 基板温度对膜层的影响 | 第38-39页 |
| 3.4 工艺参数试验及优化 | 第39-44页 |
| 3.4.1 工艺参数试验准备 | 第39-42页 |
| 3.4.2 工艺参数正交实验 | 第42-44页 |
| 3.5 工艺参数优化后的器件测试结果 | 第44-47页 |
| 3.5.1 击穿电压参数测试 | 第45页 |
| 3.5.2 芯片暗电流参数测试 | 第45-47页 |
| 3.6 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 SPC制程控制对工艺的优化 | 第48-69页 |
| 4.1 SPC系统的基本概念 | 第48-49页 |
| 4.2 SPC实施前的准备工作 | 第49-50页 |
| 4.3 SPC实施流程 | 第50页 |
| 4.4 关键工序和关键参数的确定 | 第50-52页 |
| 4.5 SPC具体工作内容 | 第52-57页 |
| 4.5.1 测量设备评价 | 第52-54页 |
| 4.5.2 软件选用 | 第54页 |
| 4.5.3 控制图的选择 | 第54-55页 |
| 4.5.4 SPC数据处理方法 | 第55-56页 |
| 4.5.5 SPC实施过程 | 第56-57页 |
| 4.6 PECVD淀积SiNx工艺SPC分析 | 第57-67页 |
| 4.6.1 分析阶段 | 第57-61页 |
| 4.6.2 验证阶段 | 第61-64页 |
| 4.6.3 批生产阶段 | 第64-67页 |
| 4.7 本章小结 | 第67-69页 |
| 第五章 结论 | 第69-71页 |
| 5.1 本文的主要贡献 | 第69-70页 |
| 5.2 下一步工作的展望 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-75页 |