| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 ZnO材料的基本特性和应用 | 第11-15页 |
| 1.2 ZnO材料在光电领域应用的研究现状 | 第15-21页 |
| 1.3 本论文主要研究内容 | 第21-23页 |
| 2 ZnO薄膜的MOCVD生长及其表征手段 | 第23-41页 |
| 2.1 金属有机化学气相沉积法(MOCVD) | 第23-29页 |
| 2.2 ZnO材料的MOCVD生长 | 第29-33页 |
| 2.3 ZnO薄膜和器件研究中的主要表征手段 | 第33-41页 |
| 3 ZnO薄膜Sb掺杂影响及相关机理研究 | 第41-66页 |
| 3.1 ZnO薄膜和Sb相关的表面活化剂研究进展 | 第41-43页 |
| 3.1.1 ZnO生长的表面活化剂研究进展 | 第41-42页 |
| 3.1.2 Sb作为表面活化剂的研究进展 | 第42-43页 |
| 3.2 Sb掺杂对ZnO薄膜性质的影响 | 第43-54页 |
| 3.2.1 Sb掺杂对ZnO薄膜基本性质的影响 | 第44-51页 |
| 3.2.2 Sb掺杂对ZnO薄膜性质影响机制的分析 | 第51-54页 |
| 3.3 大TMSb/DEZn比时Sb掺杂对ZnO薄膜性质的影响 | 第54-65页 |
| 3.3.1 大TMSb/DEZn比时Sb掺杂对ZnO薄膜基本性质的影响 | 第55-62页 |
| 3.3.2 大TMSb/DEZn比时Sb掺杂对ZnO薄膜性质影响机制的分析 | 第62-65页 |
| 3.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 4 Sb掺杂p型ZnO薄膜的制备与研究 | 第66-81页 |
| 4.1 Sb掺杂p型ZnO薄膜的研究进展 | 第66-68页 |
| 4.1.1 Sb掺杂制备p型ZnO薄膜的理论研究进展 | 第66-67页 |
| 4.1.2 Sb掺杂制备p型ZnO薄膜的实验研究进展 | 第67-68页 |
| 4.2 生长温度对Sb掺杂ZnO薄膜性质的影响 | 第68-72页 |
| 4.3 Sb掺杂p型ZnO薄膜的制备及特性分析 | 第72-79页 |
| 4.4 本章小结 | 第79-81页 |
| 5 ZnO同质结LED原型器件的制备与研究 | 第81-96页 |
| 5.1 蓝宝石衬底上ZnO同质结LED的制备和测试分析 | 第81-88页 |
| 5.1.1 蓝宝石衬底上ZnO同质结LED的制备过程 | 第81-82页 |
| 5.1.2 蓝宝石衬底上ZnO同质结LED器件特性的测试分析 | 第82-88页 |
| 5.2 Si衬底上ZnO同质结LED的制备和测试分析 | 第88-94页 |
| 5.2.1 Si衬底上ZnO同质结LED的制备过程 | 第89-90页 |
| 5.2.2 Si衬底上ZnO同质结LED器件特性的测试分析 | 第90-94页 |
| 5.3 本章小结 | 第94-96页 |
| 结论 | 第96-98页 |
| 本论文创新点摘要 | 第98-99页 |
| 参考文献 | 第99-108页 |
| 攻读博士学位期间发表学术论文情况 | 第108-110页 |
| 致谢 | 第110-111页 |
| 作者简介 | 第111-112页 |
