| 摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-12页 |
| 符号表 | 第13-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-24页 |
| §1.1 概述 | 第15-16页 |
| §1.2 In_2O_3材料的性质 | 第16-17页 |
| §1.3 Al_2O_3材料的性质 | 第17-18页 |
| §1.4 铝铟氧化物材料的研究现状 | 第18-19页 |
| §1.5 研究课题的选取 | 第19-21页 |
| 本章参考文献 | 第21-24页 |
| 第二章 薄膜制备方法和测试分析方法介绍 | 第24-33页 |
| §2.1 薄膜制备技术 | 第24-29页 |
| 2.1.1 溅射镀膜法 | 第24-25页 |
| 2.1.2 分子束外延法 | 第25-26页 |
| 2.1.3 化学气相沉积法 | 第26-27页 |
| 2.1.4 溶胶-凝胶法 | 第27-29页 |
| §2.2 薄膜性质测试分析方法 | 第29-32页 |
| 2.2.1 结构和成分测试分析 | 第29-30页 |
| 2.2.2 表面形貌分析 | 第30-31页 |
| 2.2.3 电学性质分析 | 第31页 |
| 2.2.4 光学性质分析 | 第31-32页 |
| 本章参考文献 | 第32-33页 |
| 第三章 实验设备和薄膜制备 | 第33-40页 |
| §3.1 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) | 第33-36页 |
| 3.1.1 本论文使用的MOCVD系统介绍 | 第33-35页 |
| 3.1.2 MOCVD的基本原理 | 第35-36页 |
| 3.1.3 MOCVD的技术特点 | 第36页 |
| §3.2 实验前的准备 | 第36-37页 |
| 3.2.1 衬底的清洗 | 第37页 |
| 3.2.2 原料的选取和实验参数的确定 | 第37页 |
| 3.2.3 工艺流程的程序编辑 | 第37页 |
| §3.3 本论文薄膜制备的工艺流程 | 第37-39页 |
| 本章参考文献 | 第39-40页 |
| 第四章 In2O_3薄膜的制备及性质 | 第40-50页 |
| §4.1 不同衬底上In2O_3薄膜的制备 | 第40-42页 |
| §4.2 YSZ(111)衬底上不同温度下生长In2O_3薄膜的研究 | 第42-49页 |
| 4.2.1 衬底温度对In2O_3薄膜结构性质的影响 | 第42-47页 |
| 4.2.2 衬底温度对薄膜光学性质的影响 | 第47-48页 |
| 4.2.3 衬底温度对薄膜电学性质的影响 | 第48-49页 |
| 本章参考文献 | 第49-50页 |
| 第五章 MOCVD法制备Al_(2(1-x))In_(2x)O_3薄膜的研究 | 第50-71页 |
| §5.1 YSZ(100)衬底上600℃生长Al_(2(1-x))In_(2x)O_3薄膜的性质 | 第51-54页 |
| 5.1.1 Al_(2(1-x))In_(2x)O_3薄膜的结构性质 | 第51-53页 |
| 5.1.2 600℃制备Al_(2(1-x))In_(2x)O_3薄膜的光学性质 | 第53-54页 |
| §5.2 YSZ(100)衬底上700℃生长Al_(2(1-x))In_(2x)O_3薄膜的性质 | 第54-62页 |
| 5.2.1 薄膜的结构性质 | 第54-57页 |
| 5.2.2 薄膜样品的组分分析 | 第57-59页 |
| 5.2.3 薄膜的光电性质 | 第59-62页 |
| §5.3 YSZ(111)衬底上700℃生长Al_(2(1-x))In_(2x)O_3薄膜的性质 | 第62-70页 |
| 5.3.0 Al_(2(1-x))In_(2x)O_3薄膜的结构性质 | 第62-64页 |
| 5.3.1 Al_(2(1-x))In_(2x)O_3薄膜的组分分析 | 第64-66页 |
| 5.3.2 Al_(2(1-x))In_(2x)O_3薄膜的光电性质 | 第66-70页 |
| 本章参考文献 | 第70-71页 |
| 第六章 结论 | 第71-72页 |
| 硕士期间发表论文目录 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第74页 |
