| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第12-24页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第12-13页 |
| 1.2 GaN的基本性质 | 第13-16页 |
| 1.2.1 GaN的晶体结构 | 第13-14页 |
| 1.2.2 GaN的物理性质 | 第14-15页 |
| 1.2.3 GaN的极化特性 | 第15-16页 |
| 1.3 氮极性GaN薄膜及发光器件的研究进展 | 第16-22页 |
| 1.3.1 氮极性GaN薄膜的研究进展 | 第16-20页 |
| 1.3.2 氮极性发光器件的研究进展 | 第20-22页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第22-24页 |
| 第2章 GaN薄膜和器件的外延生长及表征方法 | 第24-38页 |
| 2.1 引言 | 第24页 |
| 2.2 MOCVD原理及系统介绍 | 第24-28页 |
| 2.2.1 GaN的MOCVD生长原理 | 第24-25页 |
| 2.2.2 本论文使用的MOCVD系统介绍 | 第25-28页 |
| 2.3 本论文使用的薄膜及器件表征方法 | 第28-38页 |
| 2.3.1 X射线衍射 | 第28-31页 |
| 2.3.2 光致发光谱 | 第31-32页 |
| 2.3.3 霍尔测试 | 第32-36页 |
| 2.3.4 其他测试设备 | 第36-38页 |
| 第3章 利用原位SiN_x掩膜层制备高质量氮极性GaN薄膜 | 第38-56页 |
| 3.1 引言 | 第38页 |
| 3.2 氮极性GaN薄膜的制备研究 | 第38-42页 |
| 3.2.1 衬底的选择 | 第38-39页 |
| 3.2.2 氮极性GaN薄膜的MOCVD生长 | 第39-42页 |
| 3.3 SiN_x掩膜层对氮极性GaN薄膜晶体质量的影响 | 第42-54页 |
| 3.3.0 带有SiN_x掩膜层的氮极性GaN薄膜制备研究 | 第42-46页 |
| 3.3.1 SiN_x掩膜层对氮极性GaN薄膜位错密度及应力状态的影响 | 第46-50页 |
| 3.3.2 SiN_x掩膜层对氮极性GaN薄膜电学及光学质量的影响 | 第50-54页 |
| 3.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 第4章 氮极性GaN薄膜的掺杂研究 | 第56-84页 |
| 4.1 引言 | 第56页 |
| 4.2 n型氮极性GaN薄膜的制备研究 | 第56-67页 |
| 4.2.1 均匀掺杂n型氮极性GaN薄膜的制备研究 | 第57-59页 |
| 4.2.2 Delta掺杂n型氮极性GaN薄膜的制备研究 | 第59-64页 |
| 4.2.3 两种掺杂方法的比较 | 第64-67页 |
| 4.3 极化诱导p型氮极性AlGaN薄膜的制备研究 | 第67-82页 |
| 4.3.1 极化诱导掺杂原理的介绍 | 第67-73页 |
| 4.3.2 极化诱导p型AlGaN薄膜的MOCVD实现 | 第73-79页 |
| 4.3.3 极化诱导p型AlGaN薄膜的进一步优化 | 第79-82页 |
| 4.4 本章小结 | 第82-84页 |
| 第5章 氮极性量子阱及LED的研究 | 第84-102页 |
| 5.1 引言 | 第84页 |
| 5.2 氮极性InGaN/GaN量子阱的制备研究 | 第84-89页 |
| 5.3 氮极性蓝紫光LED的制备及特性研究 | 第89-95页 |
| 5.3.1 器件的制备流程 | 第89-92页 |
| 5.3.2 器件性能的研究 | 第92-95页 |
| 5.4 带有隧道结电流扩展层的氮极性蓝紫光LED的制备及特性研究 | 第95-101页 |
| 5.4.1 隧道结的原理和极化诱导隧道结 | 第96-97页 |
| 5.4.2 器件的制备流程 | 第97-98页 |
| 5.4.3 器件性能的研究 | 第98-101页 |
| 5.5 本章小结 | 第101-102页 |
| 结论 | 第102-104页 |
| 本论文的创新点 | 第104-106页 |
| 参考文献 | 第106-114页 |
| 作者简介及攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第114-118页 |
| 致谢 | 第118页 |
