| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第6-12页 |
| 1.1 碳化硅材料简介 | 第6-8页 |
| 1.2 碳化硅材料中的缺陷及其对材料和器件的影响 | 第8-9页 |
| 1.3 本文的主要工作 | 第9-12页 |
| 第二章 4H-SiC 的晶体结构及主要缺陷 | 第12-20页 |
| 2.1 4H-SiC 材料晶体结构 | 第12-13页 |
| 2.2 4H-SiC 中的主要缺陷 | 第13-19页 |
| 2.3 本章小结 | 第19-20页 |
| 第三章 4H-SiC 衬底上同质外延生长的关键技术 | 第20-30页 |
| 3.1 碳化硅水平热壁 CVD 外延工艺 | 第20-22页 |
| 3.2 关键工艺分析 | 第22-29页 |
| 3.2.0 4H-SiC 外延台阶生长模式 | 第22-23页 |
| 3.2.1 原位刻蚀 | 第23-25页 |
| 3.2.2 碳硅比 | 第25-27页 |
| 3.2.3 生长温度 | 第27-29页 |
| 3.2.4 生长压力 | 第29页 |
| 3.3 本章小结 | 第29-30页 |
| 第四章 4H-SiC 衬底上同质外延缺陷的表征及分析 | 第30-46页 |
| 4.1 缺陷表征测试方法简介 | 第30-34页 |
| 4.2 不同生长参数对外延层中缺陷的影响 | 第34-40页 |
| 4.2.1 碳硅比 | 第34-37页 |
| 4.2.2 生长温度 | 第37-39页 |
| 4.2.3 生长压力 | 第39-40页 |
| 4.3 实验结论及分析 | 第40-44页 |
| 4.4 本章小结 | 第44-46页 |
| 第五章 总结与展望 | 第46-48页 |
| 致谢 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 研究成果 | 第54-55页 |