| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 AlGaN基LED材料的基本结构 | 第11-12页 |
| 1.3 AlGaN基LED材料发展现状 | 第12-13页 |
| 1.4 氮化的原理及意义 | 第13页 |
| 1.4.1 氮化的基本原理 | 第13页 |
| 1.4.2 关于衬底氮化的相关研究 | 第13页 |
| 1.5 本文的主要工作 | 第13页 |
| 参考文献 | 第13-18页 |
| 第二章 实验技术和表征方法 | 第18-25页 |
| 2.1 引言 | 第18页 |
| 2.2 薄膜制备技术 | 第18-22页 |
| 2.2.1 分子束外延生长(MBE) | 第18-22页 |
| 2.3 薄膜表征技术 | 第22-23页 |
| 2.3.1 反射高能电子衍射(RHEED) | 第22-23页 |
| 参考文献 | 第23-25页 |
| 第三章 蓝宝石衬底氮化的相关软件模拟 | 第25-43页 |
| 3.1 引言 | 第25页 |
| 3.2 动态蒙特卡洛(KMC)方法 | 第25-33页 |
| 3.2.1 KMC法关于表面以及界面材料模拟的介绍 | 第27-28页 |
| 3.2.2 KMC法的主要计算步骤 | 第28-29页 |
| 3.2.3 基于KMC的c面蓝宝石氮化分析 | 第29-30页 |
| 3.2.4 c面蓝宝石氮化的具体程序 | 第30-33页 |
| 3.3 分子动力学(MD)方法 | 第33-39页 |
| 3.3.1 MD法关于表面以及界面材料模拟的介绍 | 第34-35页 |
| 3.3.2 MD法的主要计算步骤 | 第35-37页 |
| 3.3.3 基于MD的c面蓝宝石氮化分析 | 第37-39页 |
| 3.4 结合KMC法与MD法对c面蓝宝石氮化现象的模拟 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-43页 |
| 第四章 数据分析与处理 | 第43-56页 |
| 4.1 能量参数计算 | 第43-45页 |
| 4.2 KMC法分析表面氮化现象与机理 | 第45-48页 |
| 4.2.1 c面蓝宝石的氮化程度随氮气流量和表面温度的变化 | 第45-46页 |
| 4.2.2 650K下c面蓝宝石的氮化程度随氮化时间的变化 | 第46-47页 |
| 4.2.3 表面氮化现象的总结以及氮化机理分析 | 第47-48页 |
| 4.3 MD法分析界面氮化与过度氮化现象 | 第48-50页 |
| 4.3.1 MD法分析界面氮化现象的意义 | 第48-49页 |
| 4.3.2 650K下c面蓝宝石不同原子层的氮化程度随时间的变化 | 第49-50页 |
| 4.3.3 氮化现象以及过度氮化现象的机理分析 | 第50页 |
| 4.4 实验结果及表征 | 第50-52页 |
| 4.4.1 样品制备 | 第51页 |
| 4.4.2 样品表征 | 第51-52页 |
| 4.5 小结 | 第52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 第五章 总结与展望 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 附录 | 第59-70页 |
