| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-25页 |
| 1.0 MOCVD系统简介 | 第15-18页 |
| 1.1 课题研究背景与意义 | 第18-19页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第19-22页 |
| 1.2.1 国外发展及研究现状 | 第19-21页 |
| 1.2.2 国内发展及研究现状 | 第21-22页 |
| 1.3 本文的主要内容及文章整体结构 | 第22-25页 |
| 1.3.1 本文主要内容 | 第22-23页 |
| 1.3.2 文章整体结构 | 第23-25页 |
| 第二章 MOCVD感应加热的基础理论 | 第25-35页 |
| 2.1 MOCVD的主要加热方式与感应加热的原理 | 第25-28页 |
| 2.1.1 MOCVD法制备外延材料的加热方式 | 第25页 |
| 2.1.2 感应加热的基本工作原理 | 第25-28页 |
| 2.2 感应加热过程中的电磁控制 | 第28-31页 |
| 2.3 石墨基座、衬底、及腔体间的传热控制 | 第31-33页 |
| 2.3.1 反应室内存在的热量传导方式 | 第31-32页 |
| 2.3.2 磁热耦合的控制方程 | 第32-33页 |
| 2.4 感应加热的电磁边界及热边界条件 | 第33-34页 |
| 2.4.1 电磁边界条件 | 第33-34页 |
| 2.4.2 热边界条件 | 第34页 |
| 2.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 有限元仿真软件简介及MOCVD仿真模型的建立 | 第35-49页 |
| 3.1 仿真软件及耦合场简介 | 第35-42页 |
| 3.1.1 电磁场仿真软件Maxwell | 第35-37页 |
| 3.1.2 数值分析软件Ansys | 第37-41页 |
| 3.1.3 多场耦合分析 | 第41-42页 |
| 3.2 仿真所用反应室的腔体结构及参数选择 | 第42-44页 |
| 3.3 建模 | 第44-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 磁热耦合过程的仿真 | 第49-63页 |
| 4.1 线圈中激励电流的频率对反应室内磁场分布的影响 | 第49-51页 |
| 4.2 对流换热系数对反应室内温度分布的影响 | 第51-54页 |
| 4.3 线圈中激励电流的频率对反应室内基座中温度分布的影响 | 第54-58页 |
| 4.4 激励电流的强度对反应室内磁场分布的影响 | 第58-60页 |
| 4.5 激励电流的强度对反应室内温度分布的影响 | 第60-61页 |
| 4.6 本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 相关参数的分析与优化 | 第63-79页 |
| 5.1 对线圈中激励电流频率的优化 | 第63-72页 |
| 5.1.1 电流强度为300A时各频率衬底径向温度对比 | 第63-68页 |
| 5.1.2 增大电流强度、降低电流频率时衬底温度分布分析 | 第68-72页 |
| 5.2 对线圈匝数的优化 | 第72-77页 |
| 5.3 本章小结 | 第77-79页 |
| 第六章 总结与展望 | 第79-81页 |
| 6.1 文章总结 | 第79-80页 |
| 6.2 文章展望 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-83页 |
| 致谢 | 第83-85页 |
| 作者简介 | 第85-86页 |
