| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第14-15页 |
| 缩略语对照表 | 第15-19页 |
| 第一章 SiC多型及材料特性 | 第19-29页 |
| 1.1 SiC半导体材料的发展历史 | 第19-20页 |
| 1.2 SiC多型及表示符号 | 第20-23页 |
| 1.3 SiC材料基本特性 | 第23-25页 |
| 1.4 SiC异质结结构 | 第25-27页 |
| 1.5 本文主要工作 | 第27-29页 |
| 第二章 化学气相沉淀 | 第29-43页 |
| 2.1 SiC晶体外延 | 第29-31页 |
| 2.2 CVD原理 | 第31-38页 |
| 2.2.1 CVD | 第31-32页 |
| 2.2.2 吸附 | 第32-36页 |
| 2.2.3 TLK结构与Schwobel势垒 | 第36页 |
| 2.2.4 成核 | 第36-37页 |
| 2.2.5 成核与台阶流 | 第37-38页 |
| 2.3 CVD外延生长 | 第38-41页 |
| 2.3.1 VP508简介 | 第38-39页 |
| 2.3.2 SiC外延生长的一般流程 | 第39-40页 |
| 2.3.3 CVD中的参数调节 | 第40-41页 |
| 2.4 本章小结 | 第41-43页 |
| 第三章 Si面3C/4H-SiC异质外延 | 第43-59页 |
| 3.1 Si面3C/4H-SiC异质外延实验 | 第43-44页 |
| 3.2 缺陷表征和缺陷演化 | 第44-55页 |
| 3.2.1 光学显微镜表征 | 第44-48页 |
| 3.2.2 AFM表征宏观台阶 | 第48-49页 |
| 3.2.3 Raman表征3C-SiC的晶型及结晶质量 | 第49-52页 |
| 3.2.4 XRD表征3C-SiC外延层的晶型和结晶质量 | 第52-54页 |
| 3.2.5 DPB缺陷的EBSD表征 | 第54页 |
| 3.2.6 DPB缺陷的AFM表征 | 第54-55页 |
| 3.3 SiC CVD外延生长中吸附原子迁移的各向异性 | 第55-56页 |
| 3.4 高温低温3C-SiC外延生长的比较 | 第56-57页 |
| 3.5 本章小结 | 第57-59页 |
| 第四章 C面3C/4H-SiC异质外延 | 第59-89页 |
| 4.1 实验流程 | 第59-60页 |
| 4.2 宏观缺陷分类 | 第60-61页 |
| 4.3 超V型结构（SVSS）缺陷 | 第61-72页 |
| 4.3.1 AFM与TEM对缺陷表征 | 第61-64页 |
| 4.3.2 SVSS的生长模型 | 第64-65页 |
| 4.3.3 SVSS的驱动力 | 第65-66页 |
| 4.3.4 SVSS中臂的倾斜角度 | 第66-67页 |
| 4.3.5 SVSS的臂的中断 | 第67-68页 |
| 4.3.6 SVSS的夹角 | 第68-69页 |
| 4.3.7 setp-flow和anti-step-flow迁移模式的讨论 | 第69-72页 |
| 4.4 “盆地”缺陷 | 第72-73页 |
| 4.5 多晶成核 | 第73-80页 |
| 4.5.1 多晶成核的TEM表征 | 第73-75页 |
| 4.5.2 多晶成核的俄歇电子能谱表征 | 第75-79页 |
| 4.5.3 多晶成核的Raman表征 | 第79-80页 |
| 4.6 C面和Si面3C/4H-SiC异质外延的对比研究 | 第80-86页 |
| 4.6.1 C面3C-SiC层结晶质量迅速恶化的原因 | 第81-84页 |
| 4.6.2 生长速率的对比 | 第84-85页 |
| 4.6.3 C面Si面氧化速率的对比 | 第85-86页 |
| 4.7 本章小结 | 第86-89页 |
| 第五章 DPB缺陷表征及动力学机理 | 第89-109页 |
| 5.1 DPB缺陷的成因 | 第90-91页 |
| 5.2 V型DPB缺陷的动力学机理研究 | 第91-104页 |
| 5.2.1 FIB制样 | 第92-93页 |
| 5.2.2 选区电子衍射以及高分辨率TEM的傅里叶转换 | 第93-94页 |
| 5.2.3 TEM对3C-SiC中DPB缺陷的表征 | 第94-100页 |
| 5.2.4 DPB缺陷附近吸附原子的动力学研究 | 第100-103页 |
| 5.2.5 DPB缺陷在薄膜表面的演化 | 第103-104页 |
| 5.3 DPB缺陷中晶格失配的估算 | 第104-105页 |
| 5.4 DPB缺陷协助外延 | 第105-107页 |
| 5.5 本章小结 | 第107-109页 |
| 第六章 结束语 | 第109-111页 |
| 参考文献 | 第111-119页 |
| 致谢 | 第119-121页 |
| 作者简介 | 第121-123页 |
