| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| 1.1 半导体材料 SiC | 第7-9页 |
| 1.2 SiC 厚外延的研究意义和现状 | 第9-12页 |
| 1.2.1 SiC 厚外延的研究意义 | 第9-10页 |
| 1.2.2 SiC 厚外延的研究现状 | 第10-11页 |
| 1.2.3 SiC 厚外延存在的问题 | 第11-12页 |
| 1.3 本论文的主要工作 | 第12-13页 |
| 第二章 SiC 晶体同质外延及表征 | 第13-27页 |
| 2.1 SiC 晶体结构 | 第13-15页 |
| 2.2 SiC 同质外延方法 | 第15-19页 |
| 2.2.1 分子束外延法 | 第16-17页 |
| 2.2.2 液相外延法 | 第17-18页 |
| 2.2.3 化学气相淀积法 | 第18-19页 |
| 2.3 SiC 外延层的表征方法 | 第19-26页 |
| 2.3.1 显微表征方法 | 第19-22页 |
| 2.3.2 拉曼表征方法 | 第22-23页 |
| 2.3.3 X 射线衍射 | 第23-24页 |
| 2.3.4 C-V 表征 | 第24-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 4H-SiC 外延设备、工艺及测厚方法 | 第27-37页 |
| 3.1 CVD 设备 VP508 | 第27-29页 |
| 3.2 VP508 外延工艺 | 第29-33页 |
| 3.3 FTIR 测量 4H-SiC 外延层的方法 | 第33-36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 4H-SiC 厚外延生长工艺的研究 | 第37-55页 |
| 4.1 源气体流量对 4H-SiC 厚外延的影响 | 第38-41页 |
| 4.2 载气流量对 4H-SiC 厚外延的影响 | 第41-44页 |
| 4.3 生长时间对 4H-SiC 厚外延的影响 | 第44-48页 |
| 4.4 温度对 4H-SiC 厚外延的影响 | 第48-49页 |
| 4.5 压强对 4H-SiC 厚外延的影响 | 第49-51页 |
| 4.6 实验中遇到的问题 | 第51-53页 |
| 4.7 本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 结束语 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 研究成果 | 第63-64页 |