| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-34页 |
| 1.1 GaN材料性质概述 | 第12-15页 |
| 1.1.1 GaN材料的基本物理特性 | 第12页 |
| 1.1.2 GaN的晶体结构和极化特性 | 第12-14页 |
| 1.1.3 GaN的合金特性 | 第14-15页 |
| 1.2 GaN薄膜材料的研究进展 | 第15-24页 |
| 1.2.1 GaN薄膜材料的MOCVD异质外延技术 | 第15-17页 |
| 1.2.2 GaN薄膜材料缺陷和杂质的研究 | 第17-20页 |
| 1.2.3 Ⅲ族氮化物材料在光电器件领域的应用研究 | 第20-24页 |
| 1.3 论文的主要研究内容 | 第24-26页 |
| 参考文献 | 第26-34页 |
| 第二章 GaN薄膜的MOCVD生长及表征 | 第34-55页 |
| 2.1 引言 | 第34-35页 |
| 2.2 低温缓冲层中Ⅴ/Ⅲ和气压对GaN外延层的影响 | 第35-41页 |
| 2.2.1 GaN薄膜的制备与厚度测量 | 第35-37页 |
| 2.2.2 低温缓冲层中Ⅴ/Ⅲ和气压对GaN晶体质量的影响 | 第37-40页 |
| 2.2.3 低温缓冲层中Ⅴ/Ⅲ和气压对GaN表面形貌的影响 | 第40-41页 |
| 2.3 外延层的厚度对GaN薄膜晶体质量的影响 | 第41-44页 |
| 2.4 Al_xGa_(1-x)N薄膜材料的表征和分析 | 第44-48页 |
| 2.4.1 Al组分的确定 | 第44-46页 |
| 2.4.2 Al_xGa_(1-x)N薄膜的Raman分析 | 第46-48页 |
| 2.5 本章小结 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-55页 |
| 第三章 GaN薄膜中缺陷荧光特性的研究 | 第55-74页 |
| 3.1 引言 | 第55-56页 |
| 3.2 低温缓冲层中Ⅴ/Ⅲ对黄光带和蓝光带的影响 | 第56-60页 |
| 3.2.1 不同Ⅴ/Ⅲ的GaN薄膜的制备 | 第56页 |
| 3.2.2 GaN中黄光带和蓝光带的特性 | 第56-60页 |
| 3.3 Si掺杂GaN中的黄光带和蓝光带 | 第60-64页 |
| 3.3.1 Si掺杂GaN在不同激发功率下的PL谱 | 第60-62页 |
| 3.3.2 Si掺杂对GaN黄光带和蓝光带的影响 | 第62-64页 |
| 3.4 GaN薄膜PL谱的温度特性 | 第64-69页 |
| 3.4.1 GaN薄膜的激子发光 | 第65-68页 |
| 3.4.2 温度对GaN薄膜黄光带和蓝光带的影响 | 第68-69页 |
| 3.5 本章小结 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-74页 |
| 第四章 热退火对GaN薄膜荧光特性和表面能带的影响 | 第74-87页 |
| 4.1 引言 | 第74页 |
| 4.2 热退火的GaN薄膜的荧光特性 | 第74-76页 |
| 4.3 热退火的GaN薄膜的XPS表征 | 第76-80页 |
| 4.3.1 XPS测试原理 | 第77-78页 |
| 4.3.2 氮气退火的GaN薄膜的XPS表征 | 第78-79页 |
| 4.3.3 氧气退火的GaN薄膜的XPS表征 | 第79-80页 |
| 4.4 热退火对GaN薄膜表面能带的影响 | 第80-82页 |
| 4.5 本章小结 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-87页 |
| 第五章 Ni自组装颗粒特性研究 | 第87-102页 |
| 5.1 引言 | 第87-88页 |
| 5.2 不同衬底上Ni自组装颗粒的制备 | 第88-94页 |
| 5.2.1 GaN衬底上Ni自组装颗粒的制备 | 第88-90页 |
| 5.2.2 蓝宝石衬底上Ni自组装颗粒的制备 | 第90-94页 |
| 5.3 自组装Ni纳米颗粒的磁学特性 | 第94-99页 |
| 5.3.1 GaN衬底上自组装Ni纳米颗粒的磁学特性 | 第94-97页 |
| 5.3.2 蓝宝石衬底上自组装Ni纳米颗粒的磁学特性 | 第97-99页 |
| 5.4 本章小结 | 第99-101页 |
| 参考文献 | 第101-102页 |
| 第六章 结论 | 第102-104页 |
| 致谢 | 第104-105页 |
| 攻读博士学位期间论文发表 | 第105-106页 |
