| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第7-8页 |
| 1.2 石墨烯材料概述 | 第8-13页 |
| 1.2.1 石墨烯的电子结构 | 第8-10页 |
| 1.2.2 石墨烯的性质 | 第10-13页 |
| 1.3 国内外研究现状和发展趋势 | 第13页 |
| 1.4 本文的主要工作和章节安排 | 第13-15页 |
| 第二章 石墨烯的制备与表征 | 第15-23页 |
| 2.1 石墨烯的制备方法 | 第15-18页 |
| 2.1.1 微机械剥离法 | 第15-16页 |
| 2.1.2 化学气相淀积法 | 第16页 |
| 2.1.3 化学还原法 | 第16-17页 |
| 2.1.4 SiC 外延法 | 第17-18页 |
| 2.2 石墨烯的表征方法 | 第18-22页 |
| 2.2.1 光学显微镜表征 | 第18页 |
| 2.2.2 Raman 光谱表征 | 第18-20页 |
| 2.2.3 原子力显微镜表征 | 第20-21页 |
| 2.2.4 扫描电子显微镜表征 | 第21-22页 |
| 2.2.5 透射电子显微镜表征 | 第22页 |
| 本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 高温热解 SiC 外延石墨烯的工艺研究 | 第23-41页 |
| 3.1 SiC 外延石墨烯的机理 | 第23-25页 |
| 3.2 高温热解 SiC 外延石墨烯工艺 | 第25-40页 |
| 3.2.1 热解双抛 6H-SiC 外延石墨烯 | 第26-29页 |
| 3.2.2 热解偏 4°单抛 4H-Si-face-SiC 外延石墨烯 | 第29-33页 |
| 3.2.3 热解零偏双抛 4H-SiC 外延石墨烯 | 第33-40页 |
| 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 氯化法制备 SiC 外延石墨烯的工艺研究 | 第41-49页 |
| 4.1 氯化 SiC 衬底制备石墨烯的机理 | 第41-42页 |
| 4.2 SiC 衬底的氯化工艺探究 | 第42-45页 |
| 4.3 无定形碳膜的退火重组工艺探究 | 第45-48页 |
| 4.3.1 无定形碳膜的直接退火工艺 | 第45-47页 |
| 4.3.2 铜诱导退火工艺 | 第47-48页 |
| 本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 总结与展望 | 第49-51页 |
| 致谢 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |