| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 前言 | 第10-18页 |
| 1.1 ZnO 材料的基本性质简介 | 第10-12页 |
| 1.2 ZnO 材料的应用 | 第12-13页 |
| 1.3 ZnO 生长的研究进展 | 第13-14页 |
| 1.3.1 ZnO 薄膜生长的研究进展 | 第13-14页 |
| 1.3.2 ZnO 纳米材料生长的研究进展 | 第14页 |
| 1.4 ZnO 成核的研究进展 | 第14-16页 |
| 1.4.1 成核理论 | 第14-16页 |
| 1.4.2 成核的研究进展 | 第16页 |
| 1.5 研究内容 | 第16-18页 |
| 第2章 ZnO 材料的生长及表征技术 | 第18-27页 |
| 2.1 ZnO 薄膜材料的制备方法 | 第18-20页 |
| 2.1.1 RF 磁控溅射(RF magnetron sputtering) | 第18-19页 |
| 2.1.2 分子束外延 (MBE) | 第19页 |
| 2.1.3 脉冲激光沉积(PLD) | 第19-20页 |
| 2.1.4 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) | 第20页 |
| 2.2 MOCVD 技术生长 ZnO 薄膜 | 第20-22页 |
| 2.2.1 生长源材料的选择 | 第20-21页 |
| 2.2.2 MOCVD 系统简介 | 第21-22页 |
| 2.3 ZnO 薄膜的表征技术 | 第22-27页 |
| 2.3.1 原子力显微镜（AFM） | 第23-24页 |
| 2.3.2 X 射线衍射（XRD） | 第24-25页 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜（SEM） | 第25-27页 |
| 第3章 ZnO 的成核研究 | 第27-33页 |
| 3.1 成核时间对成核过程的影响 | 第27-29页 |
| 3.2 成核温度对成核过程的影响 | 第29-32页 |
| 3.2.1 恒温成核过程的研究 | 第29-31页 |
| 3.2.2 降温成核过程的研究 | 第31-32页 |
| 3.3 本章小结 | 第32-33页 |
| 第4章 成核过程对 ZnO 薄膜的影响 | 第33-39页 |
| 4.1 不同温度下的成核对 ZnO 薄膜的影响 | 第33-35页 |
| 4.1.1 不同温度下的成核对 ZnO 表面形貌的影响 | 第33-34页 |
| 4.1.2 不同温度下的成核对 ZnO 晶体结构的影响 | 第34-35页 |
| 4.2 不同时间下的成核对 ZnO 薄膜的影响 | 第35-38页 |
| 4.2.1 不同时间下的成核对 ZnO 表面形貌的影响 | 第35-37页 |
| 4.2.2 不同时间下的成核对 ZnO 晶体结构的影响 | 第37-38页 |
| 4.3 本章小结 | 第38-39页 |
| 第5章 结合成核过程研究生长温度对 ZnO 薄膜的影响机理 | 第39-45页 |
| 5.1 生长温度对 ZnO 薄膜质量的影响 | 第39-42页 |
| 5.1.1 生长温度对表面形貌的影响 | 第40-41页 |
| 5.1.2 生长温度对晶体结构的影响 | 第41-42页 |
| 5.2 从成核角度分析生长温度对 ZnO 的影响机理 | 第42-44页 |
| 5.2.1 生长温度对成核的影响 | 第42-43页 |
| 5.2.2 温度对后期生长的影响 | 第43-44页 |
| 5.3 本章小结 | 第44-45页 |
| 结论 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-53页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54页 |
