| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第8-10页 |
| 1.2 国内外研究进展与现状 | 第10-13页 |
| 1.2.1 柔性基底的剥离工艺及应用的研究进展与现状 | 第10-12页 |
| 1.2.2 表面钝化的研究进展 | 第12-13页 |
| 1.3 本课题的研究内容 | 第13-16页 |
| 2 剥离工艺及钝化原理和研究方法 | 第16-24页 |
| 2.1 Si衬底腐蚀工艺原理 | 第16-17页 |
| 2.2 阳极氧化工艺原理 | 第17-18页 |
| 2.3 Valence-Mending简介 | 第18-19页 |
| 2.4 表征方法简介 | 第19-24页 |
| 2.4.1 X射线衍射 | 第19-20页 |
| 2.4.2 Raman光谱 | 第20-21页 |
| 2.4.3 透射电子显微镜 | 第21页 |
| 2.4.4 场发射扫描电子显微镜 | 第21页 |
| 2.4.5 光致发光 | 第21-22页 |
| 2.4.6 X射线光电子能谱 | 第22-24页 |
| 3 3C-SiC薄膜的剥离工艺与特性研究 | 第24-44页 |
| 3.1 Si/3C-SiC薄膜的生长与质量分析 | 第24-25页 |
| 3.1.1 Si/3C-SiC薄膜的生长工艺 | 第24页 |
| 3.1.2 Si/3C-SiC薄膜的质量分析 | 第24-25页 |
| 3.2 湿法腐蚀剥离工艺及剥离后3C-SiC薄膜质量研究 | 第25-30页 |
| 3.2.1 湿法腐蚀剥离工艺参数研究 | 第25-28页 |
| 3.2.2 剥离后3C-SiC薄膜质量研究 | 第28-30页 |
| 3.3 阳极氧化法剥离工艺及剥离后3C-SiC薄膜特性研究 | 第30-37页 |
| 3.3.1 阳极氧化法剥离3C-SiC薄膜工艺参数研究 | 第30-31页 |
| 3.3.2 阳极氧化法的剥离效果及3C-SiC薄膜的特性研究 | 第31-37页 |
| 3.4 Si衬底剥离前后3C-SiC薄膜内的应力及光致发光研究 | 第37-44页 |
| 3.4.1 有无Si衬底时3C-SiC薄膜内的应力研究 | 第37-41页 |
| 3.4.2 有无Si衬底时3C-SiC薄膜的光致发光研究 | 第41-44页 |
| 4 剥离后3C-SiC薄膜的S钝化工艺参数研究及特性研究 | 第44-50页 |
| 4.1 剥离后3C-SiC薄膜的S钝化工艺参数研究 | 第44-45页 |
| 4.1.1 (NH_4)_2S与NH_3×H_2O混合溶液钝化工艺研究 | 第44页 |
| 4.1.2 加入S粉的(NH_4)_2S与NH_3×H_2O混合溶液钝化工艺研究 | 第44页 |
| 4.1.3 中性(NH_4)_2S与NH_3×H_2O混合溶液钝化工艺研究 | 第44-45页 |
| 4.2 S钝化后3C-SiC薄膜特性研究 | 第45-50页 |
| 4.2.1 X射线光电子能谱对3C-SiC薄膜S钝化效果研究 | 第45-47页 |
| 4.2.2 S钝化后3C-SiC薄膜的光致发光研究 | 第47-50页 |
| 5 结论 | 第50-52页 |
| 致谢 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
