| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第17-35页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第17-29页 |
| 1.2 Si基改性Ge外延生长技术 | 第29-32页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第32-35页 |
| 第二章 RPCVD生长系统搭建与材料表征技术 | 第35-57页 |
| 2.1 减压化学气相淀积(RPCVD)系统 | 第35-39页 |
| 2.1.1 系统主体 | 第35-37页 |
| 2.1.2 Si基改性Ge薄膜氧碳控制 | 第37-38页 |
| 2.1.3 系统泄漏及本征电阻率控制 | 第38-39页 |
| 2.1.4 Si基改性Ge薄膜厚度均匀性调节 | 第39页 |
| 2.2 位错密度表征技术 | 第39-43页 |
| 2.2.1 XRD位错密度表征技术 | 第40-43页 |
| 2.2.2 腐蚀位错密度表征技术 | 第43页 |
| 2.3 应力表征技术 | 第43-51页 |
| 2.3.1 应力模型建立 | 第44-48页 |
| 2.3.2 应力模型仿真模拟 | 第48-51页 |
| 2.4 其他材料表征技术 | 第51-55页 |
| 2.4.1 薄膜厚度 | 第51-52页 |
| 2.4.2 表面粗糙度 | 第52-53页 |
| 2.4.3 结晶质量 | 第53-54页 |
| 2.4.4 光致发光性能 | 第54-55页 |
| 2.5 本章小结 | 第55-57页 |
| 第三章 Si基改性Ge薄膜生长与性能表征 | 第57-79页 |
| 3.1 Si基改性Ge薄膜生长 | 第57-64页 |
| 3.1.1 基于RPCVD的Si基改性Ge生长动力学模型 | 第57-62页 |
| 3.1.2 Si基改性Ge薄膜生长工艺 | 第62-64页 |
| 3.2 Si基改性Ge薄膜性能表征 | 第64-72页 |
| 3.2.1 薄膜厚度 | 第64-65页 |
| 3.2.2 薄膜表面粗糙度 | 第65页 |
| 3.2.3 薄膜结晶质量 | 第65-66页 |
| 3.2.4 薄膜光致发光谱 | 第66页 |
| 3.2.5 薄膜位错密度 | 第66-71页 |
| 3.2.6 薄膜应力 | 第71-72页 |
| 3.3 退火对Si基改性Ge薄膜的影响 | 第72-78页 |
| 3.3.1 快速热退火 | 第72-75页 |
| 3.3.2 循环热退火 | 第75-78页 |
| 3.4 本章小结 | 第78-79页 |
| 第四章 Si基改性Ge LED器件设计及仿真 | 第79-97页 |
| 4.1 LED工作原理及相关理论 | 第79-80页 |
| 4.2 LED器件仿真 | 第80-96页 |
| 4.2.1 Silvaco仿真模型 | 第80-82页 |
| 4.2.2 LED器件设计及仿真 | 第82-96页 |
| 4.3 本章小结 | 第96-97页 |
| 第五章 总结与展望 | 第97-99页 |
| 参考文献 | 第99-103页 |
| 致谢 | 第103-105页 |
| 作者简介 | 第105-107页 |