| 摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-12页 |
| 符号说明 | 第13-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-27页 |
| 1.1 概述 | 第15页 |
| 1.2 β-Ga_2O_3薄膜的性质及应用 | 第15-18页 |
| 1.2.1 结构性质 | 第15-16页 |
| 1.2.2 光电性质 | 第16-17页 |
| 1.2.3 β-Ga_2O_3薄膜的应用 | 第17-18页 |
| 1.3 β-Ga_2O_3薄膜的研究进展 | 第18-21页 |
| 1.4 课题的选取 | 第21-23页 |
| 本章参考文献 | 第23-27页 |
| 第二章 实验设备及性质测试分析方法 | 第27-33页 |
| 2.1 金属有机化学气相沉积(MOCVD) | 第27-29页 |
| 2.1.1 MOCVD的原理和特点 | 第27页 |
| 2.1.2 本论文使用的MOCVD系统 | 第27-29页 |
| 2.2 实验流程 | 第29-30页 |
| 2.2.1 实验前的准备 | 第29页 |
| 2.2.2 薄膜的生长工艺 | 第29-30页 |
| 2.3 薄膜测试分析方法 | 第30-32页 |
| 2.3.1 结构和形貌分析 | 第30页 |
| 2.3.2 元素成分分析 | 第30页 |
| 2.3.3 光学性质分析 | 第30-32页 |
| 本章参考文献 | 第32-33页 |
| 第三章 SiC(0001)衬底β-Ga_2O_3薄膜的制备及性质研究 | 第33-39页 |
| 3.1 SiC衬底的选取及Ga_2O_3薄膜的制备参数 | 第33-34页 |
| 3.2 退火温度对Ga_2O_3薄膜结构以及形貌的影响 | 第34-36页 |
| 3.3 β-Ga_2O_3薄膜的晶格微观结构和外延关系 | 第36-37页 |
| 3.4 退火温度对Ga_2O_3薄膜光学性质的影响 | 第37-38页 |
| 本章参考文献 | 第38-39页 |
| 第四章 氮化镓(0001)衬底β-Ga_2O_3薄膜的制备及性质 | 第39-51页 |
| 4.1 GaN衬底的选取及Ga_2O_3薄膜的制备参数 | 第39-40页 |
| 4.2 退火温度对Ga_2O_3薄膜结构以及形貌的影响 | 第40-42页 |
| 4.3 β-Ga_2O_3薄膜的晶格微观结构和外延关系 | 第42-45页 |
| 4.4 β-Ga_2O_3薄膜的元素组分分析 | 第45-47页 |
| 4.5 退火温度对Ga_2O_3薄膜光学性质的影响 | 第47-49页 |
| 本章参考文献 | 第49-51页 |
| 第五章 GGG(110)衬底β-Ga_2O_3薄膜的制备及性质研究 | 第51-61页 |
| 5.1 GGG衬底的选取及薄膜的制备参数 | 第51页 |
| 5.2 退火温度对Ga_2O_3薄膜结构以及形貌的影响 | 第51-53页 |
| 5.3 β-Ga_2O_3薄膜的晶格微观结构和外延关系 | 第53-55页 |
| 5.4 退火温度对Ga_2O_3薄膜光学性质的影响 | 第55-57页 |
| 5.5 β-Ga_2O_3薄膜的PL谱测试及发光机理研究 | 第57-60页 |
| 5.5.1 薄膜的光致发光测试及分析 | 第57-58页 |
| 5.5.2 薄膜的光致发光机理分析 | 第58-60页 |
| 本章参考文献 | 第60-61页 |
| 第六章 结论 | 第61-63页 |
| 硕士期间发表论文目录 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| Paper | 第65-77页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第77页 |
