基于CFD的MOCVD反应室数值模拟
摘要 | 第3-4页 |
ABSTRACT | 第4-5页 |
第1章 绪论 | 第9-16页 |
1.1 引言 | 第9页 |
1.2 国内外 MOCVD 设备研究现状 | 第9-14页 |
1.2.1 国外 MOCVD 设备研究现状 | 第9-11页 |
1.2.2 国内 MOCVD 设备发展及现状 | 第11-12页 |
1.2.3 MOCVD 反应室模拟技术现状 | 第12-14页 |
1.3 课题的来源及研究意义 | 第14-15页 |
1.4 论文结构安排 | 第15-16页 |
第2章 MOCVD 系统构成及流体力学基础理论 | 第16-25页 |
2.1 MOCVD 系统的构成 | 第16-18页 |
2.2 流体力学中的理论模型 | 第18-20页 |
2.3 边界层理论 | 第20-22页 |
2.3.1 边界层的形成 | 第20-21页 |
2.3.2 边界层的厚度 | 第21-22页 |
2.4 计算流体力学基本方程 | 第22-24页 |
2.4.1 连续性方程 | 第22-23页 |
2.4.2 动量方程 | 第23页 |
2.4.3 能量方程 | 第23-24页 |
2.5 本章小结 | 第24-25页 |
第3章 数值计算方法与 FLUENT 软件简介 | 第25-35页 |
3.1 CFD 方法 | 第25-27页 |
3.2 网格生成技术 | 第27-29页 |
3.2.1 结构化网格 | 第28-29页 |
3.2.2 非结构化网格 | 第29页 |
3.3 SIMPLE 算法 | 第29-33页 |
3.4 FLUENT 软件简介 | 第33-34页 |
3.5 本章小结 | 第34-35页 |
第4章 反应室热流场的数值模拟分析 | 第35-60页 |
4.1 反应室模型建立及边界条件设定 | 第35-40页 |
4.1.1 MOCVD 反应室的几何结构 | 第35-36页 |
4.1.2 反应室二维模型的建立 | 第36-39页 |
4.1.3 边界条件的设定 | 第39-40页 |
4.2 工艺参数对反应室热流场的影响 | 第40-55页 |
4.2.1 入口流量对反应室热流场的影响 | 第40-45页 |
4.2.2 操作压强对反应室热流场的影响 | 第45-47页 |
4.2.3 不同载气对反应室热流场的影响 | 第47-49页 |
4.2.4 基座温度对反应室热流场的影响 | 第49-52页 |
4.2.5 基座旋转对反应室热流场的影响 | 第52-55页 |
4.3 入口与基座间距对反应室热流场的影响 | 第55-59页 |
4.4 本章小结 | 第59-60页 |
第5章 反应室结构的优化设计 | 第60-71页 |
5.1 反应室三维模型的数值模拟 | 第60-64页 |
5.1.1 多孔介质理论 | 第60页 |
5.1.2 三维模型的建立 | 第60-61页 |
5.1.3 反应室三维的数值模拟结果 | 第61-64页 |
5.2 反应室拐角处光滑过渡 | 第64-66页 |
5.3 喷孔径向不均匀分布 | 第66-67页 |
5.4 喷淋头与基座之间的距离可调 | 第67-68页 |
5.5 喷淋头水冷结构优化 | 第68-70页 |
5.6 本章小结 | 第70-71页 |
第6章 总结与展望 | 第71-73页 |
6.1 总结 | 第71-72页 |
6.2 展望 | 第72-73页 |
致谢 | 第73-74页 |
参考文献 | 第74-77页 |