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基于CFD的MOCVD反应室数值模拟

摘要第3-4页
ABSTRACT第4-5页
第1章 绪论第9-16页
    1.1 引言第9页
    1.2 国内外 MOCVD 设备研究现状第9-14页
        1.2.1 国外 MOCVD 设备研究现状第9-11页
        1.2.2 国内 MOCVD 设备发展及现状第11-12页
        1.2.3 MOCVD 反应室模拟技术现状第12-14页
    1.3 课题的来源及研究意义第14-15页
    1.4 论文结构安排第15-16页
第2章 MOCVD 系统构成及流体力学基础理论第16-25页
    2.1 MOCVD 系统的构成第16-18页
    2.2 流体力学中的理论模型第18-20页
    2.3 边界层理论第20-22页
        2.3.1 边界层的形成第20-21页
        2.3.2 边界层的厚度第21-22页
    2.4 计算流体力学基本方程第22-24页
        2.4.1 连续性方程第22-23页
        2.4.2 动量方程第23页
        2.4.3 能量方程第23-24页
    2.5 本章小结第24-25页
第3章 数值计算方法与 FLUENT 软件简介第25-35页
    3.1 CFD 方法第25-27页
    3.2 网格生成技术第27-29页
        3.2.1 结构化网格第28-29页
        3.2.2 非结构化网格第29页
    3.3 SIMPLE 算法第29-33页
    3.4 FLUENT 软件简介第33-34页
    3.5 本章小结第34-35页
第4章 反应室热流场的数值模拟分析第35-60页
    4.1 反应室模型建立及边界条件设定第35-40页
        4.1.1 MOCVD 反应室的几何结构第35-36页
        4.1.2 反应室二维模型的建立第36-39页
        4.1.3 边界条件的设定第39-40页
    4.2 工艺参数对反应室热流场的影响第40-55页
        4.2.1 入口流量对反应室热流场的影响第40-45页
        4.2.2 操作压强对反应室热流场的影响第45-47页
        4.2.3 不同载气对反应室热流场的影响第47-49页
        4.2.4 基座温度对反应室热流场的影响第49-52页
        4.2.5 基座旋转对反应室热流场的影响第52-55页
    4.3 入口与基座间距对反应室热流场的影响第55-59页
    4.4 本章小结第59-60页
第5章 反应室结构的优化设计第60-71页
    5.1 反应室三维模型的数值模拟第60-64页
        5.1.1 多孔介质理论第60页
        5.1.2 三维模型的建立第60-61页
        5.1.3 反应室三维的数值模拟结果第61-64页
    5.2 反应室拐角处光滑过渡第64-66页
    5.3 喷孔径向不均匀分布第66-67页
    5.4 喷淋头与基座之间的距离可调第67-68页
    5.5 喷淋头水冷结构优化第68-70页
    5.6 本章小结第70-71页
第6章 总结与展望第71-73页
    6.1 总结第71-72页
    6.2 展望第72-73页
致谢第73-74页
参考文献第74-77页

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