| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 GaN 材料的基本性质 | 第10-11页 |
| 1.3 GaN 基半导体材料的外延生长技术 | 第11-14页 |
| 1.3.1 氢化物气相外延技术 | 第11-12页 |
| 1.3.2 分子束外延技术 | 第12页 |
| 1.3.3 金属有机化合物化学气相沉积技术 | 第12-14页 |
| 1.4 GaN HEMT 的研究进展 | 第14-15页 |
| 1.5 GaN HEMT 的应用前景 | 第15-16页 |
| 1.6 本论文主要工作 | 第16-17页 |
| 第2章 MOCVD 生长设备及材料的表征 | 第17-25页 |
| 2.1 MOCVD 生长设备 | 第17-19页 |
| 2.2 材料表征技术 | 第19-24页 |
| 2.2.1 高分辨 X 射线衍射 | 第19-21页 |
| 2.2.2 范德堡法霍尔测试 | 第21-22页 |
| 2.2.3 原子力显微镜 | 第22-23页 |
| 2.2.4 拉曼测试 | 第23-24页 |
| 2.2.5 光学显微镜 | 第24页 |
| 2.3 本章小结 | 第24-25页 |
| 第3章 Si 衬底上 GaN 材料的生长 | 第25-39页 |
| 3.1 Si 衬底的优势 | 第25-26页 |
| 3.2 Si 衬底上外延 GaN 材料的技术挑战 | 第26-27页 |
| 3.3 AlN 缓冲层技术外延生长 GaN 材料 | 第27-34页 |
| 3.3.1 缓冲层的选取 | 第27-28页 |
| 3.3.2 采用 AlN 缓冲层在 Si 衬底上外延 GaN | 第28-30页 |
| 3.3.3 AlN 缓冲层厚度对 GaN 外延层所受应力的影响 | 第30-31页 |
| 3.3.4 AlN 缓冲层厚度对 GaN 外延层表面裂纹和形貌的影响 | 第31-32页 |
| 3.3.5 AlN 缓冲层厚度对 GaN 晶体质量的影响 | 第32-33页 |
| 3.3.6 AlN 缓冲层表面形貌对 GaN 外延层的影响 | 第33-34页 |
| 3.4 AlxGa1-xN 应力释放层技术外延生长 GaN 材料 | 第34-37页 |
| 3.4.1 GaN/AlxGa1-xN/AlN/Si 材料的制备 | 第35页 |
| 3.4.2 AlxGa1-xN 应力释放层对 GaN 外延层的影响 | 第35-37页 |
| 3.5 本章小结 | 第37-39页 |
| 第4章 AlGaN/AlN/GaN 异质结材料的生长 | 第39-55页 |
| 4.1 AlGaN/GaN 异质结材料的极化效应 | 第39-41页 |
| 4.2 AlGaN/GaN 异质结材料的生长 | 第41-42页 |
| 4.3 AlN 隔离层对 AlGaN/AlN/GaN 结构材料的影响 | 第42-47页 |
| 4.3.1 AlN 隔离层对 AlGaN/AlN/GaN HEMT 材料电学特性的影响 | 第43-46页 |
| 4.3.2 AlN 隔离层对 AlGaN/AlN/GaN HEMT 材料表面形貌的影响 | 第46-47页 |
| 4.4 Al 组分对 AlxGa1-xN/AlN/GaN 结构材料的影响 | 第47-52页 |
| 4.4.1 Al 组分对 AlGaN/AlN/GaN HEMT 结构材料电学特性的影响 | 第48-51页 |
| 4.4.2 Al 组分对 AlGaN/AlN/GaN HEMT 结构材料表面形貌的影响 | 第51-52页 |
| 4.5 Si 衬底上 AlGaN/AlN/GaN HEMT 结构材料的 MOCVD 生长 | 第52-54页 |
| 4.6 本章小结 | 第54-55页 |
| 结论 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
