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低温AlN层的MOCVD生长工艺及应用研究

摘要第3-5页
ABSTRACT第5-7页
第一章 绪论第11-27页
    1.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物材料及LED简介第11-19页
        1.1.1 GaN基半导体材料第11-14页
        1.1.2 其他Ⅲ-Ⅴ族化合物材料简介第14-16页
        1.1.3 材料生长系统简介第16页
        1.1.4 GaN基发光二极管外延生长及芯片结构第16-18页
        1.1.5 LED简介第18-19页
    1.2 研究进展第19-24页
        1.2.1 缓冲层技术第19页
        1.2.2 插入层技术第19-22页
        1.2.3 应力弛豫问题第22页
        1.2.4 GaN薄膜中位错的分类及观察条件第22-24页
    1.3 本论文主要工作第24-27页
第二章 MOCVD生长系统设备原理和相关表征手段第27-43页
    2.1 MOCVD生长原理简介第27-30页
        2.1.1 源和载气输运系统第27-28页
        2.1.2 反应室及加热系统第28-30页
    2.2 MOCVD生长GaN基材料的原理第30-36页
        2.2.1 MOCVD外延生长中的热力学及动力学过程第30-32页
        2.2.2 Ⅲ氮化物外延薄膜的MOCVD生长简介第32-36页
    2.3 实验表征方法第36-41页
        2.3.1 高分辨X射线衍射(HRXRD)第36-38页
        2.3.2 光致发光谱第38页
        2.3.3 原子力显微镜第38-39页
        2.3.4 霍尔(Hall)效应测试仪第39-41页
    2.4 本章小结第41-43页
第三章 不同生长温度下的低温AlN层的MOCVD生长第43-57页
    3.1 引言第43-44页
        3.1.1 AlN材料生长的MOCVD基本原理第43页
        3.1.2 AlN薄膜的生长模型第43-44页
    3.2 低温AlN层的外延生长工艺第44-47页
    3.3 低温AlN层外延层晶体质量研究第47-52页
    3.4 低温AlN层表面粗糙度研究第52-56页
    3.5 本章小结第56-57页
第四章 低温AlN插入层对AlGaN/GaN量子阱晶体质量、性能及应力弛豫作用影响第57-77页
    4.1 引言第57-58页
    4.2 低温AlN插入层的生长温度对AlGaN/GaN量子阱质量影响第58-66页
        4.2.1 AlGaN/GaN量子阱工艺生长条件第58-60页
        4.2.2 AlGaN/GaN多量子阱外延层晶体质量研究第60-63页
        4.2.3 AlGaN/GaN多量子阱表面粗糙度研究第63-65页
        4.2.4 AlGaN/GaN多量子阱电学及光学性能研究第65-66页
    4.3 低温AlN层表面研究及AlGaN/GaN多量子阱应力弛豫第66-71页
        4.3.1 引言第66-69页
        4.3.2 低温AlN层工艺生长条件第69页
        4.3.3 低温AlN层表面粗糙度研究第69-70页
        4.3.4 低温AlN层对AlGaN/GaN多量子阱应力弛豫的影响第70-71页
    4.4 低温AlN插入层对AlGaN/GaN量子阱晶体质量以及光学性质影响第71-75页
        4.4.1 AlGaN/GaN量子阱工艺生长条件第71-72页
        4.4.2 低温AlN插入层对AlGaN/GaN多量子阱外延层晶体质量影响研究第72-74页
        4.4.3 低温AlN插入层对AlGaN/GaN多量子阱光学性能研究第74-75页
    4.5 本章小结第75-77页
第五章 结论第77-79页
参考文献第79-87页
致谢第87-89页
攻读学位期间发表的学术论文目录第89页

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