| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-27页 |
| 1.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物材料及LED简介 | 第11-19页 |
| 1.1.1 GaN基半导体材料 | 第11-14页 |
| 1.1.2 其他Ⅲ-Ⅴ族化合物材料简介 | 第14-16页 |
| 1.1.3 材料生长系统简介 | 第16页 |
| 1.1.4 GaN基发光二极管外延生长及芯片结构 | 第16-18页 |
| 1.1.5 LED简介 | 第18-19页 |
| 1.2 研究进展 | 第19-24页 |
| 1.2.1 缓冲层技术 | 第19页 |
| 1.2.2 插入层技术 | 第19-22页 |
| 1.2.3 应力弛豫问题 | 第22页 |
| 1.2.4 GaN薄膜中位错的分类及观察条件 | 第22-24页 |
| 1.3 本论文主要工作 | 第24-27页 |
| 第二章 MOCVD生长系统设备原理和相关表征手段 | 第27-43页 |
| 2.1 MOCVD生长原理简介 | 第27-30页 |
| 2.1.1 源和载气输运系统 | 第27-28页 |
| 2.1.2 反应室及加热系统 | 第28-30页 |
| 2.2 MOCVD生长GaN基材料的原理 | 第30-36页 |
| 2.2.1 MOCVD外延生长中的热力学及动力学过程 | 第30-32页 |
| 2.2.2 Ⅲ氮化物外延薄膜的MOCVD生长简介 | 第32-36页 |
| 2.3 实验表征方法 | 第36-41页 |
| 2.3.1 高分辨X射线衍射(HRXRD) | 第36-38页 |
| 2.3.2 光致发光谱 | 第38页 |
| 2.3.3 原子力显微镜 | 第38-39页 |
| 2.3.4 霍尔(Hall)效应测试仪 | 第39-41页 |
| 2.4 本章小结 | 第41-43页 |
| 第三章 不同生长温度下的低温AlN层的MOCVD生长 | 第43-57页 |
| 3.1 引言 | 第43-44页 |
| 3.1.1 AlN材料生长的MOCVD基本原理 | 第43页 |
| 3.1.2 AlN薄膜的生长模型 | 第43-44页 |
| 3.2 低温AlN层的外延生长工艺 | 第44-47页 |
| 3.3 低温AlN层外延层晶体质量研究 | 第47-52页 |
| 3.4 低温AlN层表面粗糙度研究 | 第52-56页 |
| 3.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 第四章 低温AlN插入层对AlGaN/GaN量子阱晶体质量、性能及应力弛豫作用影响 | 第57-77页 |
| 4.1 引言 | 第57-58页 |
| 4.2 低温AlN插入层的生长温度对AlGaN/GaN量子阱质量影响 | 第58-66页 |
| 4.2.1 AlGaN/GaN量子阱工艺生长条件 | 第58-60页 |
| 4.2.2 AlGaN/GaN多量子阱外延层晶体质量研究 | 第60-63页 |
| 4.2.3 AlGaN/GaN多量子阱表面粗糙度研究 | 第63-65页 |
| 4.2.4 AlGaN/GaN多量子阱电学及光学性能研究 | 第65-66页 |
| 4.3 低温AlN层表面研究及AlGaN/GaN多量子阱应力弛豫 | 第66-71页 |
| 4.3.1 引言 | 第66-69页 |
| 4.3.2 低温AlN层工艺生长条件 | 第69页 |
| 4.3.3 低温AlN层表面粗糙度研究 | 第69-70页 |
| 4.3.4 低温AlN层对AlGaN/GaN多量子阱应力弛豫的影响 | 第70-71页 |
| 4.4 低温AlN插入层对AlGaN/GaN量子阱晶体质量以及光学性质影响 | 第71-75页 |
| 4.4.1 AlGaN/GaN量子阱工艺生长条件 | 第71-72页 |
| 4.4.2 低温AlN插入层对AlGaN/GaN多量子阱外延层晶体质量影响研究 | 第72-74页 |
| 4.4.3 低温AlN插入层对AlGaN/GaN多量子阱光学性能研究 | 第74-75页 |
| 4.5 本章小结 | 第75-77页 |
| 第五章 结论 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-87页 |
| 致谢 | 第87-89页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第89页 |
